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ZXMN3B14FTC

更新时间： 2024-01-08 09:10:11

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美台 - DIODES		栅极驱动开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
7页	222K
描述
30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 2.5V GATE DRIVE

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ZXMN3B14FTC 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	SOT-23
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.16	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	30 V	最大漏极电流 (ID)：	2.9 A
最大漏源导通电阻：	0.08 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	MATTE TIN	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

ZXMN3B14FTC 数据手册

ZXMN3B14F

30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 2.5V GATE DRIVE

SUMMARY

=30V : R

(

)=0.08 ; I =3.5A

(BR)DSS

DS on D

DESCRIPTION

This new generation of Trench MOSFETs from Zetex utilizes a unique structure that

combines the benefits of low on-resistance with fast switching speed. This makes

them ideal for high efficiency, low voltage, power management applications.

FEATURES

PACKAGE

• Low on-resistance

• Fast switching speed

• Low threshold

• Low gate drive

• SOT23 package

APPLICATIONS

• DC-DC converters

• Power management functions

• Disconnect switches

• Motor control

PINOUT

ORDERING INFORMATION

DEVICE

REEL

SIZE

TAPE

WIDTH

QUANTITY

PER REEL

ZXMN3B14FTA

7”

8mm

3,000 units

ZXMN3B14FTC

13”

10,000 units

DEVICE MARKING

• 3B4

ISSUE 2 - JANUARY 2006

SEMICONDUCTORS

12 3 4 5 6 7

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