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ZXMN3G32DN8TA

更新时间： 2024-10-30 03:52:27

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捷特科 - ZETEX		晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
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8页	415K
描述
30V SO8 dual N-channel enhancement mode MOSFET

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ZXMN3G32DN8TA 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.34	Is Samacsys：	N
配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	30 V
最大漏极电流 (ID)：	5.5 A	最大漏源导通电阻：	0.028 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-G8
元件数量：	2	端子数量：	8
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	33.6 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

ZXMN3G32DN8TA 数据手册

ZXMN3G32DN8

30V SO8 dual N-channel enhancement mode MOSFET

Summary

(Ω)

I (A)

(BR)DSS

DS(on)

0.028 @ V = 10V

7.1

5.6

0.045 @ V = 4.5V

Description

This new generation Trench MOSFET from Zetex features low on-

resistance and fast switching speed.

Features

•

Low on-resistance

4.5V gate drive capability

Fast switching bullet

Applications

•

DC-DC Converters

Power management functions

Motor Control

Backlighting

Ordering information

DEVICE

Reel size

(inches)

Tape width

(mm)

Quantity

per reel

ZXMN3G32DN8TA

500

Device marking

ZXMN

3G32D

Issue 1 - January 2008

www.zetex.com

12 3 4 5 6 7 8

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