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ZXMN3F30FHTA

更新时间： 2024-10-14 07:42:31

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8页	406K
描述
30V SOT23 N-channel enhancement mode MOSFET

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ZXMN3F30FHTA 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	SOT-23
包装说明：	SOT-23, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
Factory Lead Time：	17 weeks	风险等级：	1.19
Samacsys Description：	Diodes Inc ZXMN3F30FHTA N-channel MOSFET Transistor, 4.6 A, 30 V, 3-Pin SOT-23	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	30 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	4.6 A
最大漏极电流 (ID)：	3.8 A	最大漏源导通电阻：	0.047 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	1.4 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON

ZXMN3F30FHTA 数据手册

ZXMN3F30FH

30V SOT23 N-channel enhancement mode MOSFET

Summary

(Ω)

I (A)

(BR)DSS

DS(on)

0.047 @ V = 10V

4.6

4.0

0.065 @ V = 4.5V

Description

This new generation Trench MOSFET from Zetex features low on-

resistance achievable with 4.5V gate drive.

Features

•

Low on-resistance

4.5V gate drive capability

SOT23

Applications

•

DC-DC Converters

Power management functions

Motor Control

Ordering information

DEVICE

Reel size

(inches)

Tape width

(mm)

Quantity

per reel

ZXMN3F30FHTA

3000

Device marking

KNA

Top view

Issue 2 - February 2008

www.zetex.com

12 3 4 5 6 7 8

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ZXMN3F30FHTA 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
SI2306BDS-T1-GE3	VISHAY	功能相似	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

与ZXMN3F30FHTA相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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ZXMN3F318DN8	ZETEX	获取价格	30V SO8 Asymmetrical dual N-channel enhancement mode MOSFET
ZXMN3F318DN8TA	ZETEX	获取价格	30V SO8 Asymmetrical dual N-channel enhancement mode MOSFET
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