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ZXMN3F318DN8TA

更新时间: 2024-10-30 05:54:35
品牌 Logo 应用领域
捷特科 - ZETEX 晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
12页 274K
描述
30V SO8 Asymmetrical dual N-channel enhancement mode MOSFET

ZXMN3F318DN8TA 技术参数

生命周期:Transferred包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.36Is Samacsys:N
配置:SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:30 V
最大漏极电流 (ID):4.6 A最大漏源导通电阻:0.035 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码:R-PDSO-G8
元件数量:2端子数量:8
工作模式:ENHANCEMENT MODE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
极性/信道类型:N-CHANNEL认证状态:Not Qualified
表面贴装:YES端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

ZXMN3F318DN8TA 数据手册

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Part no.  
ZXMN3F318DN8  
30V SO8 Asymmetrical dual N-channel enhancement mode  
MOSFET  
Summary  
QG (nC)  
ID (A)  
7.3  
Device V(BR)DSS  
RDS(on) (Ω)  
0.024 @ V = 10V  
GS  
Q1  
Q2  
30  
30  
12.9  
0.039 @ V = 4.5V  
5.7  
GS  
0.035 @ V = 10V  
6
GS  
9
0.055 @ V = 4.5V  
4.8  
GS  
Description  
This new generation dual Trench MOSFET from Zetex features low on-resistance achievable  
with low (4.5V) gate drive.  
Features  
Low on-resistance  
4.5V gate drive capability  
Low profile SOIC package  
Applications  
DC-DC Converters  
SMPS  
Q2  
Q1  
Load switching  
Motor control  
Backlighting  
Ordering information  
Device  
Reel size  
(inches)  
Tape width  
(mm)  
Quantity  
per reel  
500  
ZXMN3F318DN8TA  
7
12  
Device marking  
Pinout – top view  
ZXMN  
3F318  
Issue 1 – March 2008  
1
www.zetex.com  
© Zetex Semiconductors plc 2008  

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