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ZXMN3F31DN8TA

更新时间： 2024-10-30 02:54:19

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捷特科 - ZETEX		晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
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8页	466K
描述
30V SO8 dual N-channel enhancement mode MOSFET

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ZXMN3F31DN8TA 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.36	配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	30 V	最大漏极电流 (ID)：	5.7 A
最大漏源导通电阻：	0.024 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-G8	元件数量：	2
端子数量：	8	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

ZXMN3F31DN8TA 数据手册

ZXMN3F31DN8

30V SO8 dual N-channel enhancement mode MOSFET

Summary

(Ω)

I (A)

(BR)DSS

DS(on)

0.024 @ V = 10V

7.3

5.7

0.039 @ V = 4.5V

Description

This new generation Trench MOSFET from Zetex features low on-

resistance achievable with 4.5V gate drive.

Features

•

Low on-resistance

4.5V gate drive capability

Applications

•

DC-DC Converters

Power management functions

Load switching

Motor control

Back lighting

Ordering information

DEVICE

Reel size

(inches)

Tape width

(mm)

Quantity

per reel

ZXMN3F31DN8TA

500

Device marking

ZXMN

3F31D

Issue 1 - January 2008

www.zetex.com

12 3 4 5 6 7 8

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
ZXMN3G32DN8	DIODES	获取价格	30V SO8 dual N-channel enhancement mode MOSFET
ZXMN3G32DN8	ZETEX	获取价格	30V SO8 dual N-channel enhancement mode MOSFET
ZXMN3G32DN8TA	ZETEX	获取价格	30V SO8 dual N-channel enhancement mode MOSFET
ZXMN3G32DN8TA	DIODES	获取价格	30V SO8 dual N-channel enhancement mode MOSFET
ZXMN4A06G	DIODES	获取价格	40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
ZXMN4A06GQ	DIODES	获取价格	40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
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ZXMN4A06GQTC	DIODES	获取价格	暂无描述
ZXMN4A06GTA	DIODES	获取价格	40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET