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ZXMN3F318DN8TA

更新时间： 2024-09-13 07:42:31

品牌	Logo	应用领域
美台 - DIODES		晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
页数	文件大小	规格书
12页	244K
描述
30V SO8 Asymmetrical dual N-channel enhancement mode

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ZXMN3F318DN8TA 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SOT
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8	针数：	8
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.38	Is Samacsys：	N
配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	6 A	最大漏极电流 (ID)：	4.6 A
最大漏源导通电阻：	0.035 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-G8	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	2
端子数量：	8	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	2.1 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Powers	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

ZXMN3F318DN8TA 数据手册

Part no.

ZXMN3F318DN8

30V SO8 Asymmetrical dual N-channel enhancement mode

MOSFET

Summary

Q_G(nC)

I_D(A)

7.3

Device V_(BR)DSS

R_DS(on)(Ω)

0.024 @ V = 10V

12.9

0.039 @ V = 4.5V

5.7

0.035 @ V = 10V

0.055 @ V = 4.5V

4.8

Description

This new generation dual Trench MOSFET from Zetex features low on-resistance achievable

with low (4.5V) gate drive.

Features

•

Low on-resistance

4.5V gate drive capability

Low profile SOIC package

Applications

•

DC-DC Converters

SMPS

Load switching

Motor control

Backlighting

Ordering information

Device

Reel size

(inches)

Tape width

(mm)

Quantity

per reel

500

ZXMN3F318DN8TA

Device marking

Pinout – top view

ZXMN

3F318

Issue 1 – March 2008

www.zetex.com

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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