是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | SOT-223 |
包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 | 针数: | 4 |
Reach Compliance Code: | not_compliant | ECCN代码: | EAR99 |
Factory Lead Time: | 17 weeks | 风险等级: | 0.91 |
外壳连接: | DRAIN | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 40 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 7 A |
最大漏极电流 (ID): | 5 A | 最大漏源导通电阻: | 0.05 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码: | R-PDSO-G4 |
JESD-609代码: | e3 | 湿度敏感等级: | 1 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 4 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 3.9 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 22 A | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | FET General Purpose Power | 表面贴装: | YES |
端子面层: | Matte Tin (Sn) | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 40 |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
NIF5002NT3G | ONSEMI |
功能相似 |
Self−Protected FET with Temperature and Current Limit |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
ZXMN4A06GTC | DIODES |
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40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET | |
ZXMN4A06K | DIODES |
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40V N-channel enhancement mode MOSFET | |
ZXMN4A06K | ZETEX |
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40V N-channel enhancement mode MOSFET | |
ZXMN4A06KTC | ZETEX |
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40V N-channel enhancement mode MOSFET | |
ZXMN4A06KTC | DIODES |
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40V N-channel enhancement mode MOSFET | |
ZXMN6A07F | TI |
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TLV320AIC3104EVM and TLV320AIC3104EVM-PDK | |
ZXMN6A07F | DIODES |
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60V SOT23 N-channel enhancement mode mosfet | |
ZXMN6A07F | ZETEX |
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60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET | |
ZXMN6A07F_07 | ZETEX |
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60V SOT23 N-channel enhancement mode mosfet | |
ZXMN6A07FQTA | DIODES |
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暂无描述 |