ZXMN4A06GTC

更新时间： 2024-10-14 07:42:31

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7页	166K
描述
40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

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ZXMN4A06GTC 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
零件包装代码：	SOT-223	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
针数：	4	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.13
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	40 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	7 A
最大漏极电流 (ID)：	5 A	最大漏源导通电阻：	0.05 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-G4
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	4
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	3.9 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	22 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

ZXMN4A06GTC 数据手册

ZXMN4A06G

40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

SUMMARY

(BR)DSS

= 40V; R

= 0.05 I = 7A

DS(ON) D

DESCRIPTION

This new generation of TRENCH MOSFETs from Zetex utilizes a unique structure

that com bines the benefits of low on-resistance with fast switching speed. This

m akes them ideal for high efficiency, low voltage, power m anagem ent applications.

FEATURES

SOT223

•

Low on-resistance

Fast switching speed

Low threshold

Low gate drive

SOT223 package

APPLICATIONS

•

DC - DC Converters

Audio Output Stages

Relay and Solenoid driving

Motor control

ORDERING INFORMATION

DEVICE

REEL

SIZE

TAPE

WIDTH

QUANTITY

PER REEL

ZXMN4A06GTA

ZXMN4A06GTC

7”

12m m

1000 units

4000 units

13”

DEVICE MARKING

•

ZXMN

4A06

Top View

ISSUE 1 - MAY 2002

12 3 4 5 6 7

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