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ZXMN3F31DN8TA

更新时间： 2024-10-30 07:42:31
品牌 Logo 应用领域
美台 - DIODES 晶体晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
8页 423K
描述
30V SO8 dual N-channel enhancement mode MOSFET

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ZXMN3F31DN8TA 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：SOT
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8针数：8
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
Factory Lead Time：17 weeks风险等级：0.81
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：7.3 A最大漏极电流 (ID)：5.7 A
最大漏源导通电阻：0.024 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G8JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：2
端子数量：8工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：2.1 W认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

ZXMN3F31DN8TA 数据手册

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ZXMN3F31DN8  
30V SO8 dual N-channel enhancement mode MOSFET  
Summary  
V
R
(Ω)  
I (A)  
(BR)DSS  
DS(on)  
D
30  
0.024 @ V = 10V  
7.3  
5.7  
GS  
0.039 @ V = 4.5V  
GS  
Description  
This new generation Trench MOSFET from Zetex features low on-  
resistance achievable with 4.5V gate drive.  
Features  
D1  
D2  
S2  
•
•
Low on-resistance  
4.5V gate drive capability  
G1  
G2  
Applications  
•
•
•
•
•
DC-DC Converters  
Power management functions  
Load switching  
S1  
S1  
D1  
D1  
D2  
D2  
Motor control  
G1  
S2  
G2  
Back lighting  
Ordering information  
DEVICE  
Reel size  
(inches)  
Tape width  
(mm)  
Quantity  
per reel  
ZXMN3F31DN8TA  
7
12  
500  
Device marking  
ZXMN  
3F31D  
Issue 2 - February 2008  
© Zetex Semiconductors plc 2008  
1
www.zetex.com  
12345678

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ZXMN3F31DN8TA 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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