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UPA807T-T1KB

更新时间： 2024-09-09 19:56:11
品牌 Logo 应用领域
日电电子 - NEC 放大器光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 48K
描述
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.01A I(C), 2-Element, L Band, Silicon, NPN, PLASTIC, SUPERMINI-6

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UPA807T-T1KB 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Transferred
包装说明：PLASTIC, SUPERMINI-6Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.73最大集电极电流 (IC)：0.01 A
基于收集器的最大容量：0.6 pF集电极-发射极最大电压：3 V
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS最高频带：L BAND
JESD-30 代码：R-PDSO-G6JESD-609代码：e0
元件数量：2端子数量：6
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：NPN认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：TIN LEAD
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：13000 MHz
Base Number Matches：1

UPA807T-T1KB 数据手册

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DATA SHEET  
SILICON TRANSISTOR  
µPA807T  
MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER  
NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR  
(WITH BUILT-IN 2 ELEMENTS) SUPER MINI MOLD  
PACKAGE DRAWINGS  
(Unit: mm)  
FEATURES  
•
Low Current, High Gain  
|S21e|2 = 9 dB TYP. @VCE = 2 V, IC = 7 mA, f = 2 GHz  
|S21e|2 = 8.5 dB TYP. @VCE = 1 V, IC = 5 mA, f = 2 GHz  
A Super Mini Mold Package Adopted  
2.1±0.1  
1.25±0.1  
•
•
Built-in 2 Transistors (2 × 2SC5179)  
ORDERING INFORMATION  
PART NUMBER  
QUANTITY  
PACKING STYLE  
µPA807T  
Loose products  
(50 PCS)  
Embossed tape 8 mm wide. Pin 6  
(Q1 Base), Pin 5 (Q2 Base), Pin 4  
(Q2 Emitter) face to perforation  
side of the tape.  
µPA807T-T1  
Taping products  
(3 KPCS/Reel)  
Remark If you require an evaluation sample, please contact an  
NEC Sales Representative. (Unit sample quantity is 50  
pcs.)  
PIN CONFIGURATION (Top View)  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C)  
PARAMETER  
Collector to Base Voltage  
Collector to Emitter Voltage  
Emitter to Base Voltage  
Collector Current  
SYMBOL  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
RATING  
UNIT  
V
5
3
6
5
2
4
V
Q
1
2
V
Q
3
2
10  
mA  
mW  
Total Power Dissipation  
PT  
30 in 1 element  
60 in 2 elements  
1
Junction Temperature  
Storage Temperature  
Tj  
150  
°C  
°C  
Tstg  
–65 to +150  
PIN CONNECTIONS  
1. Collector (Q1) 4. Emitter (Q2)  
2. Emitter (Q1) 5. Base (Q2)  
3. Collector (Q2) 6. Base (Q1)  
This device uses radio frequency technology. Take due precautions to protect it from excessive input levels such as static electricity.  
Document No. P12153EJ2V0DS00 (2nd edition)  
(Previous No. ID-3641)  
Date Published November 1996 N  
Printed in Japan  
1995  
©
12345678

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