生命周期: | Transferred | 包装说明: | 2 X 1.25 MM, SO-6 |
Reach Compliance Code: | unknown | 风险等级: | 5.63 |
其他特性: | LOW NOISE | 最大集电极电流 (IC): | 0.03 A |
基于收集器的最大容量: | 0.8 pF | 集电极-发射极最大电压: | 3 V |
配置: | SEPARATE, 2 ELEMENTS | 最高频带: | L BAND |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G6 | 元件数量: | 2 |
端子数量: | 6 | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
极性/信道类型: | NPN | 认证状态: | Not Qualified |
表面贴装: | YES | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | DUAL | 晶体管应用: | AMPLIFIER |
晶体管元件材料: | SILICON | 标称过渡频率 (fT): | 11000 MHz |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
UPA808T-T1-A | CEL |
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NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR |
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UPA808T-T1KB | NEC |
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暂无描述 |
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UPA808T-T1KB-A | NEC |
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RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 2-Element, L Band, Silicon, NPN, PLASTIC, |
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UPA809 | NEC |
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MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 ELEMENTS MI |
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UPA809T | NEC |
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MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 ELEMENTS MI |
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UPA809T_99 | NEC |
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NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR |
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UPA809T-A | NEC |
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暂无描述 |
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UPA809TF | NEC |
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NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR |
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UPA809TF-T1 | NEC |
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BJT |
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UPA809T-KB | NEC |
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暂无描述 |
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