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Datasheet > 晶体管 > 射频小信号双极晶体管> UPA808T-T1
UPA808T-T1 PDF预览

UPA808T-T1

更新时间： 2024-09-09 12:16:59
品牌 Logo 应用领域
日电电子 - NEC 晶体放大器小信号双极晶体管射频小信号双极晶体管微波光电二极管
页数 文件大小 规格书
12页 67K
描述
MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 ELEMENTS SUPER MINI MOLD

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UPA808T-T1 技术参数

生命周期：Transferred包装说明：2 X 1.25 MM, SO-6
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.63
其他特性：LOW NOISE最大集电极电流 (IC)：0.03 A
基于收集器的最大容量：0.8 pF集电极-发射极最大电压：3 V
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS最高频带：L BAND
JESD-30 代码：R-PDSO-G6元件数量：2
端子数量：6封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：NPN认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：11000 MHz
Base Number Matches：1

UPA808T-T1 数据手册

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DATA SHEET  
SILICON TRANSISTOR  
µPA808T  
MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER  
NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR  
(WITH BUILT-IN 2 ELEMENTS) SUPER MINI MOLD  
PACKAGE DRAWINGS  
(Unit: mm)  
FEATURES  
•
Low Noise  
NF = 1.3 dB TYP. @VCE = 2 V, IC = 3 mA, f = 2 GHz  
NF = 1.3 dB TYP. @VCE = 1 V, IC = 3 mA, f = 2 GHz  
A Super Mini Mold Package Adopted  
2.1±0.1  
1.25±0.1  
•
•
Built-in 2 Transistors (2 × 2SC5184)  
ORDERING INFORMATION  
PART NUMBER  
QUANTITY  
PACKING STYLE  
µPA808T  
Loose products  
(50 PCS)  
Embossed tape 8 mm wide. Pin 6  
(Q1 Base), Pin 5 (Q2 Base), Pin 4  
(Q2 Emitter) face to perforation  
side of the tape.  
µPA808T-T1  
Taping products  
(3 KPCS/Reel)  
Remark If you require an evaluation sample, please contact an  
NEC Sales Representative. (Unit sample quantity is 50  
pcs.)  
PIN CONFIGURATION (Top View)  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C)  
PARAMETER  
Collector to Base Voltage  
Collector to Emitter Voltage  
Emitter to Base Voltage  
Collector Current  
SYMBOL  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
RATING  
UNIT  
V
5
3
6
5
2
4
V
Q
1
2
V
Q
3
2
30  
mA  
mW  
Total Power Dissipation  
PT  
90 in 1 element  
180 in 2 elementsNote  
1
Junction Temperature  
Storage Temperature  
Tj  
150  
°C  
°C  
Tstg  
–65 to +150  
PIN CONNECTIONS  
1. Collector (Q1) 4. Emitter (Q2)  
2. Emitter (Q1) 5. Base (Q2)  
3. Collector (Q2) 6. Base (Q1)  
Note 110 mW must not be exceeded in 1 element.  
This device uses radio frequency technology. Take due precautions to protect it from excessive input levels such as static electricity.  
Document No. P12154EJ2V0DS00 (2nd edition)  
(Previous No. ID-3642)  
Date Published November 1996 N  
Printed in Japan  
1995  
©
1234567...12

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