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UPA809T-KB-A

更新时间： 2024-10-14 19:27:55

品牌	Logo	应用领域
日电电子 - NEC		放大器 ISM频段光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
10页	55K
描述
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 2-Element, L Band, Silicon, NPN, MINIMOLD PACKAGE-6

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UPA809T-KB-A 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6	针数：	6
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.75	风险等级：	5.14
其他特性：	LOW NOISE	最大集电极电流 (IC)：	0.1 A
基于收集器的最大容量：	0.85 pF	集电极-发射极最大电压：	6 V
配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS	最高频带：	L BAND
JESD-30 代码：	R-PDSO-G6	JESD-609代码：	e6
元件数量：	2	端子数量：	6
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	TIN BISMUTH
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	9000 MHz
Base Number Matches：	1

UPA809T-KB-A 数据手册

PRELIMINARY DATA SHEET

SILICON TRANSISTOR

µPA809T

MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER

NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR

(WITH BUILT-IN 2 ELEMENTS) MINI MOLD

FEATURES

PACKAGE DRAWINGS

•

Low Voltage Operation, Low Phase Distortion

(Unit: m m )

Low Noise

2.1±0.1

NF = 1.5 dB TYP. @V^CE= 3 V, IC = 7 m A, f = 2 GHz

NF = 1.7 dB TYP. @V^CE= 1 V, IC = 3 m A, f = 2 GHz

Large Absolute Maxim um Collector Current

I^C= 100 m A

1.25±0.1

•

A Mini Mold Package Adopted

Built-in 2 Transistors (2 × 2SC5193)

ORDERING INFORMATION

PART NUMBER

QUANTITY

PACKING STYLE

µPA809T

Loose products

(50 PCS)

Em bossed tape 8 m m wide. Pin 6 (Q1

Base), Pin 5 (Q2 Base), Pin 4 (Q2 Em itter)

face to perforation side of the tape.

PIN CONFIGURATION (Top View )

µPA809T-T1

Taping products

(3 KPCS/Reel)

Rem ark If you require an evaluation sam ple, please contact an NEC

Sales Representative. (Unit sam ple quantity is 50 pcs.)

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C)

PARAMETER

SYMBOL

VCBO

VCEO

VEBO

RATING

UNIT

PIN CONNECTIONS

1. Collector (Q1)

2. Emitter (Q1)

4. Emitter (Q2)

5. Base (Q2)

6. Base (Q1)

Collector to Base Voltage

Collector to Em itter Voltage

Em itter to Base Voltage

Collector Current

3. Collector (Q2)

100

m A

m W

Total Power Dissipation

150 in 1 elem ent

200 in 2 elem ents

Note

J unction Tem perature

Storage Tem perature

150

˚C

Tstg

–65 to +150

Note 110 m W m ust not be exceeded in 1 elem ent.

This device uses radio frequency technology. Take due precautions to protect it from excessive input levels such as static electricity.

The inform ation in this docum ent is subject to change w ithout notice.

Document No. ID-3643

(O.D. No. ID-9150)

Date Published April 1995 P

Printed in Japan

1995

12 3 4 5 6 7...10

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与UPA809T-KB-A相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
UPA809T-T1	NEC	获取价格	MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 ELEMENTS MI
UPA809T-T1-A	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 2-Element, L Band, Silicon, NPN, SO-6
UPA809T-T1KB	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 2-Element, L Band, Silicon, NPN, MINIMOLD P
UPA809T-T1KB-A	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 2-Element, L Band, Silicon, NPN, MINIMOLD P
UPA80C	NEC	获取价格	TRANSISTOR ARRAY
UPA80C-A	RENESAS	获取价格	PRE-BIASED "DIGITAL" TRANSISTOR,DIP
UPA81	ETC	获取价格	UPA81C Data Sheet \| Data Sheet[02/1982]
UPA810	NEC	获取价格	NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 x 2SC5006 FLAT-LEAD 6-PIN THIN-TYPE ULTRA
UPA810T	CEL	获取价格	NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
UPA810T	RENESAS	获取价格	HIGH-FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR

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