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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Transferred |
| 包装说明： | ULTRA SUPER MINIMOLD PACKAGE-6 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.63 | 最大集电极电流 (IC)： | 0.03 A |
| 基于收集器的最大容量： | 0.8 pF | 集电极-发射极最大电压： | 3 V |
| 配置： | SEPARATE, 2 ELEMENTS | 最高频带： | L BAND |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-F6 | JESD-609代码： | e6 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 2 |
| 端子数量： | 6 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | NPN |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | TIN BISMUTH | 端子形式： | FLAT |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 10 |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 11000 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| UPA808TC-T1 | NEC |
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RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.065A I(C), 2-Element, Ultra High Frequency Band, Sil |
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| UPA808TC-T1FB | NEC |
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RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 2-Element, L Band, Silicon, NPN, ULTRA SUP |
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| UPA808TC-T1FB-A | NEC |
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RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 2-Element, L Band, Silicon, NPN, ULTRA SUP |
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| UPA808T-T1 | NEC |
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MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 ELEMENTS SU |
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| UPA808T-T1-A | CEL |
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NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR |
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| UPA808T-T1KB | NEC |
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暂无描述 |
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| UPA808T-T1KB-A | NEC |
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RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 2-Element, L Band, Silicon, NPN, PLASTIC, |
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| UPA809 | NEC |
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MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 ELEMENTS MI |
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| UPA809T | NEC |
获取价格 |
MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 ELEMENTS MI |
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| UPA809T_99 | NEC |
获取价格 |
NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR |
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