UPA808T

更新时间： 2024-09-09 12:16:59

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日电电子 - NEC		晶体放大器晶体管微波
页数	文件大小	规格书
12页	67K
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MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 ELEMENTS SUPER MINI MOLD

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UPA808T 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.68
其他特性：	LOW NOISE	最大集电极电流 (IC)：	0.03 A
基于收集器的最大容量：	0.8 pF	集电极-发射极最大电压：	3 V
配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS	最高频带：	S BAND
JESD-30 代码：	R-PDSO-G6	JESD-609代码：	e0
元件数量：	2	端子数量：	6
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	11000 MHz
Base Number Matches：	1

UPA808T 数据手册

DATA SHEET

SILICON TRANSISTOR

µPA808T

MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER

NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR

(WITH BUILT-IN 2 ELEMENTS) SUPER MINI MOLD

PACKAGE DRAWINGS

(Unit: mm)

FEATURES

•

Low Noise

NF = 1.3 dB TYP. @V^CE= 2 V, IC = 3 mA, f = 2 GHz

NF = 1.3 dB TYP. @VCE = 1 V, IC = 3 mA, f = 2 GHz

A Super Mini Mold Package Adopted

2.1±0.1

1.25±0.1

•

Built-in 2 Transistors (2 × 2SC5184)

ORDERING INFORMATION

PART NUMBER

QUANTITY

PACKING STYLE

µPA808T

Loose products

(50 PCS)

Embossed tape 8 mm wide. Pin 6

(Q1 Base), Pin 5 (Q2 Base), Pin 4

(Q2 Emitter) face to perforation

side of the tape.

µPA808T-T1

Taping products

(3 KPCS/Reel)

Remark If you require an evaluation sample, please contact an

NEC Sales Representative. (Unit sample quantity is 50

pcs.)

PIN CONFIGURATION (Top View)

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C)

PARAMETER

Collector to Base Voltage

Collector to Emitter Voltage

Emitter to Base Voltage

Collector Current

SYMBOL

VCBO

VCEO

VEBO

RATING

UNIT

Total Power Dissipation

90 in 1 element

180 in 2 elements^Note

Junction Temperature

Storage Temperature

150

°C

Tstg

–65 to +150

PIN CONNECTIONS

1. Collector (Q1) 4. Emitter (Q2)

2. Emitter (Q1) 5. Base (Q2)

3. Collector (Q2) 6. Base (Q1)

Note 110 mW must not be exceeded in 1 element.

This device uses radio frequency technology. Take due precautions to protect it from excessive input levels such as static electricity.

Document No. P12154EJ2V0DS00 (2nd edition)

(Previous No. ID-3642)

Date Published November 1996 N

Printed in Japan

1995

1994

12 3 4 5 6 7...12

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与UPA808T相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
UPA808T-A	NEC	获取价格	暂无描述
UPA808TC	NEC	获取价格	NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
UPA808TC-A	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.065A I(C), 2-Element, Ultra High Frequency Band, Sil
UPA808TC-FB	NEC	获取价格	2 CHANNEL, L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, ULTRA SUPER MINIMOLD PACKAGE-6
UPA808TC-FB-A	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 2-Element, L Band, Silicon, NPN, ULTRA SUP
UPA808TC-T1	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.065A I(C), 2-Element, Ultra High Frequency Band, Sil
UPA808TC-T1FB	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 2-Element, L Band, Silicon, NPN, ULTRA SUP
UPA808TC-T1FB-A	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 2-Element, L Band, Silicon, NPN, ULTRA SUP
UPA808T-T1	NEC	获取价格	MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 ELEMENTS SU
UPA808T-T1-A	CEL	获取价格	NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR

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