Datasheet > UPA807T-KB

UPA807T-KB

更新时间： 2024-09-09 19:56:11

品牌	Logo	应用领域
日电电子 - NEC		放大器光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
8页	48K
描述
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.01A I(C), 2-Element, L Band, Silicon, NPN, PLASTIC, SUPERMINI-6

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

UPA807T-KB 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6	针数：	6
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.75	风险等级：	5.14
其他特性：	LOW NOISE	最大集电极电流 (IC)：	0.01 A
基于收集器的最大容量：	0.6 pF	集电极-发射极最大电压：	3 V
配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS	JESD-30 代码：	R-PDSO-G6
JESD-609代码：	e0	元件数量：	2
端子数量：	6	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	12000 MHz	Base Number Matches：	1

UPA807T-KB 数据手册

DATA SHEET

SILICON TRANSISTOR

µPA807T

MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER

NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR

(WITH BUILT-IN 2 ELEMENTS) SUPER MINI MOLD

PACKAGE DRAWINGS

(Unit: mm)

FEATURES

•

Low Current, High Gain

|S^21e|²= 9 dB TYP. @VCE = 2 V, IC = 7 mA, f = 2 GHz

|S21e|²= 8.5 dB TYP. @VCE = 1 V, IC = 5 mA, f = 2 GHz

A Super Mini Mold Package Adopted

2.1±0.1

1.25±0.1

•

Built-in 2 Transistors (2 × 2SC5179)

ORDERING INFORMATION

PART NUMBER

QUANTITY

PACKING STYLE

µPA807T

Loose products

(50 PCS)

Embossed tape 8 mm wide. Pin 6

(Q1 Base), Pin 5 (Q2 Base), Pin 4

(Q2 Emitter) face to perforation

side of the tape.

µPA807T-T1

Taping products

(3 KPCS/Reel)

Remark If you require an evaluation sample, please contact an

NEC Sales Representative. (Unit sample quantity is 50

pcs.)

PIN CONFIGURATION (Top View)

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C)

PARAMETER

Collector to Base Voltage

Collector to Emitter Voltage

Emitter to Base Voltage

Collector Current

SYMBOL

VCBO

VCEO

VEBO

RATING

UNIT

Total Power Dissipation

30 in 1 element

60 in 2 elements

Junction Temperature

Storage Temperature

150

°C

Tstg

–65 to +150

PIN CONNECTIONS

1. Collector (Q1) 4. Emitter (Q2)

2. Emitter (Q1) 5. Base (Q2)

3. Collector (Q2) 6. Base (Q1)

This device uses radio frequency technology. Take due precautions to protect it from excessive input levels such as static electricity.

Document No. P12153EJ2V0DS00 (2nd edition)

(Previous No. ID-3641)

Date Published November 1996 N

Printed in Japan

1995

1994

12 3 4 5 6 7 8

中文翻译

下载PDF

与UPA807T-KB相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
UPA807T-KB-A	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.01A I(C), 2-Element, L Band, Silicon, NPN, PLASTIC,
UPA807T-T1	NEC	获取价格	MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 ELEMENTS SU
UPA807T-T1	RENESAS	获取价格	RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
UPA807T-T1-A	CEL	获取价格	NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
UPA807T-T1KB	RENESAS	获取价格	2 CHANNEL, L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC, SUPERMINI-6
UPA807T-T1KB	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.01A I(C), 2-Element, L Band, Silicon, NPN, PLASTIC,
UPA807T-T1KB-A	NEC	获取价格	暂无描述
UPA808	NEC	获取价格	MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 ELEMENTS SU
UPA808T	NEC	获取价格	MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 ELEMENTS SU
UPA808T	CEL	获取价格	NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR

与UPA807T-KB相关文章

SL74HC10N：高性能三输入与非门解析
2024-09-03

62
AIC1781A 电池充电控制器深度解析
2024-09-03

51
Pickering新高压舌簧继电器亮相汽车测试博览会
2024-08-26

84
采用MCU+MPU双处理器架构实现的创新应用设计探索
2024-08-23

93

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

UPA807T-KB

UPA807T-KB 技术参数

UPA807T-KB 数据手册

与UPA807T-KB相关器件

与UPA807T-KB相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

UPA807T-KB

UPA807T-KB 技术参数

UPA807T-KB 数据手册

与UPA807T-KB相关器件

与UPA807T-KB相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？