UPA807T-A

更新时间： 2024-09-09 13:15:11

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日电电子 - NEC		晶体放大器晶体管微波
页数	文件大小	规格书
8页	59K
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RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.01A I(C), 2-Element, S Band, Silicon, NPN,

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UPA807T-A 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.66
其他特性：	LOW NOISE	最大集电极电流 (IC)：	0.01 A
基于收集器的最大容量：	0.6 pF	集电极-发射极最大电压：	3 V
配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS	最高频带：	S BAND
JESD-30 代码：	R-PDSO-G6	JESD-609代码：	e6
湿度敏感等级：	1	元件数量：	2
端子数量：	6	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	TIN BISMUTH	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	10
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	13000 MHz	Base Number Matches：	1

UPA807T-A 数据手册

DATA SHEET

SILICON TRANSISTOR

µPA807T

MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER

NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR

(WITH BUILT-IN 2 ELEMENTS) SUPER MINI MOLD

PACKAGE DRAWINGS

(Unit: mm)

FEATURES

•

Low Current, High Gain

|S^21e|²= 9 dB TYP. @VCE = 2 V, IC = 7 mA, f = 2 GHz

|S21e|²= 8.5 dB TYP. @VCE = 1 V, IC = 5 mA, f = 2 GHz

A Super Mini Mold Package Adopted

2.1±0.1

1.25±0.1

•

Built-in 2 Transistors (2 × 2SC5179)

ORDERING INFORMATION

PART NUMBER

QUANTITY

PACKING STYLE

µPA807T

Loose products

(50 PCS)

Embossed tape 8 mm wide. Pin 6

(Q1 Base), Pin 5 (Q2 Base), Pin 4

(Q2 Emitter) face to perforation

side of the tape.

µPA807T-T1

Taping products

(3 KPCS/Reel)

Remark If you require an evaluation sample, please contact an

NEC Sales Representative. (Unit sample quantity is 50

pcs.)

PIN CONFIGURATION (Top View)

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C)

PARAMETER

Collector to Base Voltage

Collector to Emitter Voltage

Emitter to Base Voltage

Collector Current

SYMBOL

VCBO

VCEO

VEBO

RATING

UNIT

Total Power Dissipation

30 in 1 element

60 in 2 elements

Junction Temperature

Storage Temperature

150

°C

Tstg

–65 to +150

PIN CONNECTIONS

1. Collector (Q1) 4. Emitter (Q2)

2. Emitter (Q1) 5. Base (Q2)

3. Collector (Q2) 6. Base (Q1)

This device uses radio frequency technology. Take due precautions to protect it from excessive input levels such as static electricity.

Document No. P12153EJ2V0DS00 (2nd edition)

(Previous No. ID-3641)

Date Published November 1996 N

Printed in Japan

1995

1994

12 3 4 5 6 7 8

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与UPA807T-A相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
UPA807T-KB	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.01A I(C), 2-Element, L Band, Silicon, NPN, PLASTIC,
UPA807T-KB-A	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.01A I(C), 2-Element, L Band, Silicon, NPN, PLASTIC,
UPA807T-T1	NEC	获取价格	MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 ELEMENTS SU
UPA807T-T1	RENESAS	获取价格	RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
UPA807T-T1-A	CEL	获取价格	NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
UPA807T-T1KB	RENESAS	获取价格	2 CHANNEL, L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC, SUPERMINI-6
UPA807T-T1KB	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.01A I(C), 2-Element, L Band, Silicon, NPN, PLASTIC,
UPA807T-T1KB-A	NEC	获取价格	暂无描述
UPA808	NEC	获取价格	MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 ELEMENTS SU
UPA808T	NEC	获取价格	MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 ELEMENTS SU

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