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TPCS8105

更新时间： 2024-11-24 03:26:47
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东芝 - TOSHIBA 晶体晶体管场效应晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 270K
描述
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (U-MOS IV)

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TPCS8105 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
针数：8Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.36配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：10 A
最大漏极电流 (ID)：10 A最大漏源导通电阻：0.0195 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G8
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：8工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：P-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：1.1 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：TIN LEAD
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

TPCS8105 数据手册

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TPCS8105  
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (U-MOS IV)  
TPCS8105  
Lithium Ion Battery Applications  
Notebook PC Applications  
Unit: mm  
Portable Equipment Applications  
•
•
•
•
•
Small footprint due to small and thin package  
Low drain-source ON resistance: R = 9.6 mΩ (typ.)  
DS (ON)  
High forward transfer admittance: |Y | = 23 S (typ.)  
fs  
Low leakage current: I  
= −10 µA (max) (V  
= −30 V)  
DSS  
DS  
Enhancement mode: V = −0.8 to −2.0 V (V  
= −10 V, I = −1 mA)  
th  
DS  
D
Maximum Ratings  
(Ta = 25°C)  
Characteristics  
Drain-source voltage  
Symbol  
Rating  
Unit  
V
−30  
−30  
±20  
−10  
−40  
V
V
V
DSS  
Drain-gate voltage (R  
Gate-source voltage  
= 20 kΩ)  
V
DGR  
GS  
1,2,3  
4
Source  
Gate  
V
GSS  
DC  
(Note 1)  
I
D
5,6,7,8 Drain  
Drain current  
A
Pulse (Note 1)  
I
DP  
JEDEC  
JEITA  
―
Drain power dissipation (t = 10 s)  
(Note 2a)  
P
1.1  
0.6  
W
W
D
D
―
Drain power dissipation (t = 10 s)  
(Note 2b)  
P
TOSHIBA  
2-3R1F  
Weight: 0.035 g (typ.)  
Single pulse avalanche energy  
(Note 3)  
E
26  
mJ  
A
AS  
Avalanche current  
I
−10  
0.11  
AR  
Repetitive avalanche energy  
E
mJ  
AR  
Circuit Configuration  
(Note 2a) (Note 4)  
Channel temperature  
T
150  
°C  
°C  
ch  
8
7
6
5
Storage temperature range  
T
stg  
−55 to 150  
Note 1, Note 2, Note 3 and Note 4: See the next page.  
This transistor is an electrostatic-sensitive device. Please handle with caution.  
1
2
3
4
1
2004-07-06  
1234567

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