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TPCS8105

更新时间： 2024-01-06 01:37:59

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东芝 - TOSHIBA		晶体晶体管场效应晶体管
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7页	270K
描述
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (U-MOS IV)

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TPCS8105 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
针数：	8	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.36	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	30 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	10 A
最大漏极电流 (ID)：	10 A	最大漏源导通电阻：	0.0195 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-G8
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	8	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	1.1 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

TPCS8105 数据手册

TPCS8105

TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (U-MOS IV)

TPCS8105

Lithium Ion Battery Applications

Notebook PC Applications

Unit: mm

Portable Equipment Applications

•

Small footprint due to small and thin package

Low drain-source ON resistance: R = 9.6 mΩ (typ.)

DS (ON)

High forward transfer admittance: |Y | = 23 S (typ.)

Low leakage current: I

= −10 µA (max) (V

= −30 V)

DSS

Enhancement mode: V = −0.8 to −2.0 V (V

= −10 V, I = −1 mA)

Maximum Ratings

(Ta = 25°C)

Characteristics

Drain-source voltage

Symbol

Rating

Unit

−30

±20

−10

−40

DSS

Drain-gate voltage (R

Gate-source voltage

= 20 kΩ)

DGR

1,2,3

Source

Gate

GSS

(Note 1)

5,6,7,8 Drain

Drain current

Pulse (Note 1)

JEDEC

JEITA

―

Drain power dissipation (t = 10 s)

(Note 2a)

1.1

0.6

―

Drain power dissipation (t = 10 s)

(Note 2b)

TOSHIBA

2-3R1F

Weight: 0.035 g (typ.)

Single pulse avalanche energy

(Note 3)

Avalanche current

−10

0.11

Repetitive avalanche energy

Circuit Configuration

(Note 2a) (Note 4)

Channel temperature

150

°C

Storage temperature range

stg

−55 to 150

Note 1, Note 2, Note 3 and Note 4: See the next page.

This transistor is an electrostatic-sensitive device. Please handle with caution.

2004-07-06

12 3 4 5 6 7

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