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TPCS8303

更新时间： 2024-09-21 03:26:47
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
7页 228K
描述
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (U-MOSIII)

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TPCS8303 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：End Of Life包装说明：LEAD FREE, 2-3R1E, 8 PIN
针数：8Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.31Is Samacsys：N
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：20 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：5 A最大漏极电流 (ID)：5 A
最大漏源导通电阻：0.08 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G8JESD-609代码：e4
元件数量：2端子数量：8
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：P-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：1.1 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：NICKEL PALLADIUM GOLD
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

TPCS8303 数据手册

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TPCS8303  
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (U-MOSIII)  
TPCS8303  
Lithium Ion Battery Applications  
Unit: mm  
Notebook PC Applications  
Portable Machines and Tools  
•
•
•
•
•
Small footprint due to small and thin package  
Low drain-source ON resistance: R = 15 mΩ (typ.)  
DS (ON)  
High forward transfer admittance: |Y | = 18 S (typ.)  
fs  
Low leakage current: I  
= −10 µA (max) (V  
= −20 V)  
DSS  
DS  
Enhancement mode: V = −0.45~−1.2 V (V  
= −10 V, I = −200 µA)  
th  
DS  
D
Maximum Ratings  
=
(Ta 25°C)  
Characteristics  
Drain-source voltage  
Symbol  
Rating  
Unit  
V
−20  
−20  
±12  
−5  
V
V
V
DSS  
Drain-gate voltage (R  
Gate-source voltage  
= 20 kΩ)  
V
DGR  
GS  
V
GSS  
DC  
(Note 1)  
(Note 1)  
I
D
JEDEC  
JEITA  
―
―
Drain current  
A
Pulse  
I
−20  
DP  
Single-device  
operation (Note 3a)  
P
P
P
P
1.1  
0.75  
0.6  
D (1)  
Drain power  
dissipation  
(t = 10 s)  
TOSHIBA  
2-3R1E  
W
Single-device value  
at dual operation  
(Note 3b)  
Weight: 0.035 g (typ.)  
(Note 2a)  
D (2)  
D (1)  
D (2)  
Single-device  
operation (Note 3a)  
Circuit Configuration  
Drain power  
dissipation  
(t = 10 s)  
W
Single-device value  
at dual operation  
(Note 3b)  
8
7
6
5
0.35  
(Note 2b)  
Single pulse avalanche energy  
(Note 4)  
E
16.3  
mJ  
A
AS  
Avalanche current  
I
−5  
AR  
Repetitive avalanche energy  
Single-device value at dual operation  
(Note 2a, 3b, 5)  
E
0.075  
mJ  
AR  
Channel temperature  
T
150  
°C  
°C  
ch  
1
2
3
4
Storage temperature range  
T
stg  
−55~150  
Note 1, Note 2, Note 3, Note 4, Note 5: See the next page.  
This transistor is an electrostatic-sensitive device. Please handle with caution.  
1
2004-07-06  
1234567

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