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TPCT4204

更新时间： 2024-09-21 03:26:47
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
4页 125K
描述
Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type

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TPCT4204 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Lifetime Buy
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4针数：4
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.74Is Samacsys：N
配置：COMMON DRAIN, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏源导通电阻：0.044 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G4元件数量：2
端子数量：4工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：1.7 W
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

TPCT4204 数据手册

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TPCT4204  
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (U-MOSⅣ)  
TPCT4204  
Lithium Ion Secondary Battery Applications  
TENTATIVE  
Unit: mm  
•
•
•
•
•
•
•
Lead(Pb)-Free  
Small footprint due to small and thin package  
Low source-source ON resistance: R = (22)mΩ (typ.)  
3.8 0.1  
±
1
SS (ON)  
4
0.45  
0.45  
2.0±0.1  
High forward transfer admittance: |Y | = (25) S (typ.)  
fs  
= 10 µA (max) (V = 30 V)  
3
Low leakage current: I  
SSS  
SS  
2
0.025 M  
B
Enhancement-model: V = 0.5to1.2 V(V = 10 V, I = 200μA)  
th  
SS  
S
B
0.6±0.05  
Common drain  
0.05  
0.14±0.04  
S
Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
S
2
3
0.4±0.1  
0.4+0.2  
-0.1  
Characteristics  
Symbol  
Rating  
Unit  
0.5+0.04  
-0.16  
4
Source-source voltage  
Gate-source voltage  
V
30  
±12  
6
V
V
SSS  
1
V
GSS  
0.85 0.1  
±
2.53 0.1  
0.2±0.05  
±
DC  
(Note 1)  
(Note 1)  
I
S
Source current  
A
Pulse  
I
24  
SP  
1.GATE1  
3. SOURCE2  
Power dissipation (t = 10s ) (Note 2a,3)  
Power dissipation (t= 10s ) (Note 2b,3)  
P
1.7  
W
W
2.GATE2 4. SOURCE1  
D
D
JEDEC  
―
P
0.51  
JEITA  
―
Single pulse avalanche energy (Note 4)  
Avalanche current  
E
TBD  
6
mJ  
A
AS  
TOSHIBA  
2-2S1A  
I
AR  
Weight: 0.012 g (typ.)  
Repetitive avalanche energy (Note 2a, 5)  
Channel temperature  
E
0.17  
mJ  
°C  
°C  
AR  
T
150  
ch  
Storage temperature range  
T
−55to150  
stg  
Circuit Configuration  
Note: For (Note 1), (Note 2), (Note 3), (Note 4) and (Note 5), please refer  
to the next page.  
This transistor is an electrostatic sensitive device. Please handle with  
caution.  
F E T 1  
4
3
1
WARNING  
【Handling Precaution for Power MOSFET in use of Protection  
Circuit for Battery Pack 】  
2
Flame-retardant resins of UL94-V0 flammability class are used in  
packages,however,they are not noncombustible.  
Use a unit,for example PTC Thermistor,which can shut off the power  
supply if a short-circuit occurs.  
F E T 2  
If the power supply is not shut off on the occurring short-circuit,a  
large short-circuit current will flow continuously,which may cause  
the device to catch fire or smoke.  
1
2004-11-09  
1234

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