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TPCS8204

更新时间： 2024-01-08 07:36:23
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 晶体晶体管场效应晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 306K
描述
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (U-MOSIII)

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TPCS8204 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：2-3RIE, 8 PIN针数：8
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.79
雪崩能效等级（Eas）：46.8 mJ配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：20 V最大漏极电流 (ID)：6 A
最大漏源导通电阻：0.017 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G8JESD-609代码：e4
元件数量：2端子数量：8
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：24 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

TPCS8204 数据手册

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TPCS8204  
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (U-MOSIII)  
TPCS8204  
Lithium Ion Battery Applications  
Notebook PC Applications  
Unit: mm  
Portable Equipment Applications  
•
•
•
•
•
Small footprint due to small and thin package  
Low drain-source ON resistance: R = 13 mΩ (typ.)  
DS (ON)  
High forward transfer admittance: |Y | = 15 S (typ.)  
fs  
Low leakage current: I  
= 10 µA (max) (V  
Enhancement-mode: V = 0.5~1.2 V (V  
= 20 V)  
DS  
= 10 V, I = 200 µA)  
DSS  
th DS  
D
Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Characteristics  
Symbol  
Rating  
Unit  
Drain-source voltage  
V
20  
20  
±12  
6
V
V
V
DSS  
Drain-gate voltage (R  
= 20 kΩ)  
V
GS  
DGR  
Gate-source voltage  
V
GSS  
DC  
(Note 1)  
(Note 1)  
I
D
JEDEC  
JEITA  
―
―
Drain current  
A
Pulse  
I
24  
DP  
Single-device  
P
P
P
P
1.1  
0.75  
0.6  
Drain power  
dissipation  
(t = 10 s)  
D (1)  
operation (Note 3a)  
TOSHIBA  
2-3R1E  
W
Single-device value  
at dual operation  
(Note 3b)  
Weight: 0.035 g (typ.)  
D (2)  
D (1)  
D (2)  
(Note 2a)  
Single-device  
Circuit Configuration  
Drain power  
dissipation  
(t = 10 s)  
operation (Note 3a)  
W
8
7
6
5
Single-device value  
at dual operation  
(Note 3b)  
0.35  
(Note 2b)  
Single pulse avalanche energy  
(Note 4)  
E
46.8  
6
mJ  
A
AS  
Avalanche current  
I
AR  
Repetitive avalanche energy  
Single-device value at dual operation  
E
0.075  
mJ  
AR  
(Note 2a, 3b, 5)  
Channel temperature  
1
2
3
4
T
150  
°C  
°C  
ch  
Storage temperature range  
T
−55~150  
stg  
Note: For (Note 1), (Note 2), (Note 3), (Note 4) and (Note 5), please refer to the next page.  
This transistor is an electrostatic sensitive device. Please handle with caution.  
1
2002-02-14  
1234567

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