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TPCS8205

更新时间： 2024-02-02 05:20:59
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 晶体小信号场效应晶体管光电二极管
页数 文件大小 规格书
7页 294K
描述
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (U-MOS II)

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TPCS8205 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Transferred
包装说明：2-3R1E, 8 PIN针数：8
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.33
Is Samacsys：N配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：20 V最大漏极电流 (ID)：5 A
最大漏源导通电阻：0.045 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G8元件数量：2
端子数量：8工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：N-CHANNEL
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

TPCS8205 数据手册

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TPCS8205  
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (U-MOS II)  
TPCS8205  
Lithium Ion Battery Applications  
Portable Equipment Applications  
Notebook PCs  
Unit: mm  
l
l
l
l
l
Small footprint due to small and thin package  
Low drain-source ON resistance: R = 30 mΩ (typ.)  
DS (ON)  
High forward transfer admittance: |Y | = 10 S (typ.)  
fs  
= 10 µA (max) (V  
Low leakage current: I  
= 20 V)  
DSS  
Enhancement-mode: V = 0.5~1.2 V (V  
DS  
= 10 V, I = 200 µA)  
th  
DS  
D
Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Characteristics  
Symbol  
Rating  
Unit  
Drain-source voltage  
V
20  
20  
±12  
5
V
V
V
DSS  
DGR  
GSS  
Drain-gate voltage (R  
= 20kΩ)  
V
V
GS  
Gate-source voltage  
D C  
(Note 1)  
(Note 1)  
I
D
JEDEC  
JEITA  
―
―
Drain curren  
A
Pulse  
I
20  
DP  
Single-device  
operation  
P
1.1  
0.5  
TOSHIBA  
2-3R1E  
D (1)  
Drain power  
dissipation  
(t = 10s)  
(Note 3a)  
W
Weight: 0.035 g (typ.)  
Single-device value  
at dual operation  
(Note 3b)  
(Note 2a)  
P
D(2)  
D (1)  
D (2)  
Single-device  
operation  
Circuit Configuration  
P
P
0.6  
Drain power  
dissipation  
(t = 10s)  
(Note 3a)  
W
Single-device value  
at dual operation  
(Note 3b)  
(Note 2b)  
0.35  
Single pulse avalanche energy  
(Note 4)  
E
32.5  
5
mJ  
A
AS  
Avalanche current  
I
AR  
Repetitive avalanche energy  
Single-device value at operation  
(Note 2a, Note 3b, Note 5)  
E
0.05  
mJ  
AR  
Channel temperature  
T
150  
°C  
°C  
ch  
Storage temperature range  
T
−55~150  
stg  
Note: For (Note 1), (Note 2a), (Note 2b), (Note 3a), (Note 3b), (Note 4)  
and (Note 5), please refer to the next page.  
This transistor is an electrostatic sensitive device. Please handle with caution.  
1
2003-02-20  
1234567

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