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TPCS8212

更新时间： 2024-01-17 07:53:31
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
7页 342K
描述
Silicon N Channel MOS Type (U-MOSIII)

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TPCS8212 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Transferred
包装说明：2-3R1E, 8 PIN针数：8
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.35
Is Samacsys：N配置：COMMON DRAIN, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：20 V最大漏极电流 (ID)：6 A
最大漏源导通电阻：0.024 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G8元件数量：2
端子数量：8工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：N-CHANNEL
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

TPCS8212 数据手册

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TPCS8212  
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (U-MOSIII)  
TPCS8212  
Lithium Ion Battery Applications  
Unit: mm  
•
•
•
•
•
•
Small footprint due to small and thin package  
Low drain-source ON resistance: R = 16 mΩ (typ.)  
DS (ON)  
High forward transfer admittance: |Y | = 11 S (typ.)  
fs  
Low leakage current: I  
= 10 µA (max) (V  
= 20 V)  
DSS  
DS  
= 10 V, I = 200 µA)  
Enhancement-mode: V = 0.5~1.2 V (V  
th  
DS  
D
Common drain  
Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Characteristics  
Symbol  
Rating  
Unit  
Drain-source voltage  
V
20  
20  
±12  
6
V
V
V
DSS  
Drain-gate voltage (R  
Gate-source voltage  
= 20 kΩ)  
V
GS  
DGR  
V
GSS  
DC  
(Note 1)  
(Note 1)  
I
D
Drain current  
A
Pulse  
I
24  
DP  
JEDEC  
JEITA  
―
―
Single-device  
P
P
P
P
1.1  
0.75  
0.6  
D (1)  
Drain power  
dissipation  
(t = 10 s)  
operation (Note 3a)  
Single-device value  
at dual operation  
(Note 3b)  
TOSHIBA  
2-3R1E  
(Note 2a)  
D (2)  
D (1)  
D (2)  
Weight: 0.035 g (typ.)  
W
Single-device  
Drain power  
dissipation  
(t = 10 s)  
operation (Note 3a)  
Circuit Configuration  
Single-device value  
at dual operation  
(Note 3b)  
0.35  
(Note 2b)  
8
7
6
5
Single pulse avalanche energy  
(Note 4)  
E
46.8  
6
mJ  
A
AS  
Avalanche current  
I
AR  
Repetitive avalanche energy  
Single-device value at dual operation  
(Note 2a, 3b, 5)  
E
0.075  
mJ  
AR  
Channel temperature  
T
150  
°C  
°C  
ch  
Storage temperature range  
T
−55~150  
stg  
1
2
3
4
Note: (Note 1), (Note 2), (Note 3), (Note 4), (Note 5) Please see next page.  
This transistor is an electrostatic sensitive device. Please handle with caution.  
1
2002-01-17  
1234567

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