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TPCS8208

更新时间： 2024-01-03 20:28:35

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东芝 - TOSHIBA		晶体晶体管场效应晶体管
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7页	206K
描述
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (U-MOSIII)

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TPCS8208 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Transferred	包装说明：	2-3R1E, 8 PIN
针数：	8	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.36	配置：	COMMON DRAIN, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	20 V	最大漏极电流 (ID)：	6 A
最大漏源导通电阻：	0.017 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-G8	元件数量：	2
端子数量：	8	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

TPCS8208 数据手册

TPCS8208

TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (U-MOSIII)

TPCS8208

Lithium Ion Battery Applications

Unit: mm

•

Small footprint due to small and thin package

Low drain-source ON resistance: R = 13 mΩ (typ.)

DS (ON)

High forward transfer admittance: |Y | = 15 S (typ.)

Low leakage current: I

= 10 µA (max) (V

= 20 V)

DSS

Enhancement mode: V = 0.5~1.2 V (V

= 10 V, I = 200 µA)

Common drain

Maximum Ratings

(Ta 25°C)

Characteristics

Drain-source voltage

Symbol

Rating

Unit

±12

DSS

Drain-gate voltage (R

Gate-source voltage

= 20 kΩ)

DGR

GSS

(Note 1)

Drain current

Pulse

JEDEC

JEITA

―

Single-device

operation (Note 3a)

1.1

0.75

0.6

D (1)

Drain power

dissipation

(t = 10 s)

TOSHIBA

2-3R1E

Single-device value

at dual operation

(Note 3b)

(Note 2a)

D (2)

D (1)

D (2)

Weight: 0.035 g (typ.)

Single-device

operation (Note 3a)

Drain power

dissipation

(t = 10 s)

Single-device value

at dual operation

(Note 3b)

Circuit Configuration

0.35

(Note 2b)

Single pulse avalanche energy

(Note 4)

46.8

Avalanche current

Repetitive avalanche energy

Single-device value at dual operation

0.075

(Note 2a, 3b, 5)

Channel temperature

150

°C

Storage temperature range

stg

−55~150

Note 1, Note 2, Note 3, Note 4, Note 5: See the next page.

This transistor is an electrostatic-sensitive device. Please handle with caution.

2004-07-06

12 3 4 5 6 7

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