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TPCS8210

更新时间: 2024-11-23 22:42:03
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 晶体电池小信号场效应晶体管光电二极管
页数 文件大小 规格书
7页 429K
描述
SILICON N CHANNEL MOS TYPE LITHIUM BATTERY APPLICATIONS

TPCS8210 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Transferred包装说明:2-3R1E, 8 PIN
针数:8Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.36配置:COMMON DRAIN, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:20 V最大漏极电流 (ID):5 A
最大漏源导通电阻:0.03 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码:R-PDSO-G8元件数量:2
端子数量:8工作模式:ENHANCEMENT MODE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL认证状态:Not Qualified
表面贴装:YES端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

TPCS8210 数据手册

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