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TPCS8201

更新时间： 2024-02-04 13:32:18
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 晶体晶体管场效应晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 307K
描述
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (U-MOS )

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TPCS8201 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.88
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：20 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：5 A最大漏极电流 (ID)：5 A
最大漏源导通电阻：0.03 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G8元件数量：2
端子数量：8工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：1 W
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

TPCS8201 数据手册

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TPCS8201  
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (U-MOS II)  
TPCS8201  
Lithium Ion Battery Applications  
Portable Equipment Applications  
Notebook PCs  
Unit: mm  
l
l
l
l
l
Small footprint due to small and thin package  
Low drain-source ON resistance: R = 22 mΩ (typ.)  
DS (ON)  
High forward transfer admittance: |Y | = 13 S (typ.)  
fs  
= 10 µA (max) (V  
Low leakage current: I  
= 20 V)  
DSS  
Enhancement-mode: V = 0.5~1.2 V (V  
DS  
= 10 V, I = 200 µA)  
th  
DS  
D
Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Characteristics  
Symbol  
Rating  
Unit  
Drain-source voltage  
V
20  
20  
±12  
5
V
V
V
DSS  
DGR  
GSS  
Drain-gate voltage (R  
= 20kΩ)  
V
V
GS  
Gate-source voltage  
D C  
(Note 1)  
(Note 1)  
I
D
JEDEC  
JEITA  
―
―
Drain curren  
A
Pulse  
I
20  
DP  
Single-device  
operation  
P
1.1  
0.75  
0.6  
TOSHIBA  
2-3R1E  
D (1)  
Drain power  
dissipation  
(t = 10s)  
(Note 3a)  
W
Weight: 0.035 g (typ.)  
Single-device value  
at dual operation  
(Note 3b)  
(Note 2a)  
P
D(2)  
D (1)  
D (2)  
Single-device  
operation  
Circuit Configuration  
P
P
Drain power  
dissipation  
(t = 10s)  
(Note 3a)  
W
Single-device value  
at dual operation  
(Note 3b)  
(Note 2b)  
0.35  
Single pulse avalanche energy  
(Note 4)  
E
32.5  
5
mJ  
A
AS  
Avalanche current  
I
AR  
Repetitive avalanche energy  
Single-device value at operation  
(Note 2a, Note 3b, Note 5)  
E
0.075  
mJ  
AR  
Channel temperature  
T
150  
°C  
°C  
ch  
Storage temperature range  
T
−55~150  
stg  
Note: For (Note 1), (Note 2a), (Note 2b), (Note 3a), (Note 3b), (Note 4)  
and (Note 5) please refer to the next page.  
This transistor is an electrostatic sensitive device. Please handle with  
caution.  
1
2003-02-20  
1234567

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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
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