5秒后页面跳转
TIM1112-8 PDF预览

TIM1112-8

更新时间: 2024-09-29 21:55:47
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 晶体射频场效应晶体管微波放大器局域网
页数 文件大小 规格书
4页 115K
描述
MICROWAVE POWER GaAs FET

TIM1112-8 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Active
包装说明:2-11C1B, 3 PIN针数:2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.29.00.95Factory Lead Time:20 weeks
风险等级:5.16Is Samacsys:N
外壳连接:SOURCE配置:SINGLE
最小漏源击穿电压:15 V最大漏极电流 (Abs) (ID):10.4 A
最大漏极电流 (ID):10.4 AFET 技术:JUNCTION
最高频带:KU BANDJESD-30 代码:R-CDFM-F2
元件数量:1端子数量:2
工作模式:DEPLETION MODE最高工作温度:175 °C
封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT峰值回流温度(摄氏度):240
极性/信道类型:N-CHANNEL功耗环境最大值:60 W
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:YES端子形式:FLAT
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:AMPLIFIER晶体管元件材料:GALLIUM ARSENIDE
Base Number Matches:1

TIM1112-8 数据手册

 浏览型号TIM1112-8的Datasheet PDF文件第2页浏览型号TIM1112-8的Datasheet PDF文件第3页浏览型号TIM1112-8的Datasheet PDF文件第4页 

TIM1112-8 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
TIM1112-2 TOSHIBA

功能相似

MICROWAVE POWER GaAs FET
TIM1112-4 TOSHIBA

功能相似

MICROWAVE POWER GaAs FET
TIM1112-15L TOSHIBA

功能相似

MICROWAVE POWER GaAs FET

与TIM1112-8相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
TIM1213-10 TOSHIBA

获取价格

TRANSISTOR KU BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, 2-11C1B, 3 PIN, FET RF Power
TIM1213-15 TOSHIBA

获取价格

TRANSISTOR RF POWER, FET, HERMETIC SEALED, 2-11C1B, 2 PIN, FET RF Power
TIM1213-15L TOSHIBA

获取价格

MICROWAVE POWER GaAs FET
TIM1213-2 TOSHIBA

获取价格

TRANSISTOR RF POWER, FET, 2-9D1B, 3 PIN, FET RF Power
TIM1213-2L TOSHIBA

获取价格

TRANSISTOR KU BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, HERMETIC SEALED, 2-9D1B, 2 PIN, FET
TIM1213-30L TOSHIBA

获取价格

TRANSISTOR KU BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, HERMETIC SEALED, 7-AA03A, 2 PIN, FE
TIM1213-4 TOSHIBA

获取价格

TRANSISTOR RF POWER, FET, 2-9D1B, 3 PIN, FET RF Power
TIM1213-4L TOSHIBA

获取价格

Low Distortion Internally Matched Power GaAs FETs (X, Ku-Band)
TIM1213-4UL TOSHIBA

获取价格

TRANSISTOR KU BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, HERMETIC SEALED, 2-9D1B, 2 PIN, FET
TIM1213-5 TOSHIBA

获取价格

MICROWAVE POWER GaAs FET