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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | , 3333 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.76 | 电容： | 10 µF |
| 电容器类型： | TANTALUM CAPACITOR | 自定义功能： | Tape and Reel |
| 介电材料： | TANTALUM (DRY/SOLID) | 高度： | 4.32 mm |
| 长度： | 8.26 mm | 负容差： | 20% |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 125 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C | 封装形式： | Radial |
| 极性： | POLARIZED | 正容差： | 20% |
| 额定（直流）电压（URdc）： | 35 V | 系列： | TIM |
| 尺寸代码： | 3333 | 宽度： | 8.26 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| TIM106M050P0Z | CDE |
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Tantalum Capacitor, Polarized, Tantalum (dry/solid), 50V, 20% +Tol, 20% -Tol, 10uF, Throug |
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| TIM10R | VISHAY |
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Pulse/Datacom Transformer, PULSE TRANSFORMER FOR SIGNAL SYNCHRONISATION APPLICATION(S) |
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| TIM1112-15L | TOSHIBA |
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MICROWAVE POWER GaAs FET |
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| TIM1112-2 | TOSHIBA |
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MICROWAVE POWER GaAs FET |
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| TIM1112-4 | TOSHIBA |
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MICROWAVE POWER GaAs FET |
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| TIM1112-4UL | TOSHIBA |
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MICROWAVE POWER GaAs FET |
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| TIM1112-8 | TOSHIBA |
获取价格 |
MICROWAVE POWER GaAs FET |
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| TIM1213-10 | TOSHIBA |
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TRANSISTOR KU BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, 2-11C1B, 3 PIN, FET RF Power |
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| TIM1213-15 | TOSHIBA |
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TRANSISTOR RF POWER, FET, HERMETIC SEALED, 2-11C1B, 2 PIN, FET RF Power |
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| TIM1213-15L | TOSHIBA |
获取价格 |
MICROWAVE POWER GaAs FET |
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