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STF20NF06 PDF预览

STF20NF06

更新时间： 2024-11-22 21:55:07
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
10页 279K
描述
N-CHANNEL 60V - 0.06ohm - 20A TO-220/TO-220FP STripFET II POWER MOSFET

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STF20NF06 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-220AB
包装说明：ROHS COMPLIANT, TO-220FP, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.81Is Samacsys：N
雪崩能效等级（Eas）：120 mJ外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：20 A最大漏极电流 (ID)：20 A
最大漏源导通电阻：0.07 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：245极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：28 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：80 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子面层：TIN
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

STF20NF06 数据手册

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STP20NF06  
STF20NF06  
N-CHANNEL 60V - 0.06 Ω - 20A TO-220/TO-220FP  
STripFET™ II POWER MOSFET  
Table 1: General Features  
Figure 1:Package  
V
R
I
D
TYPE  
DSS  
DS(on)  
STP20NF06  
STF20NF06  
60 V  
60 V  
< 0.07 Ω  
< 0.07 Ω  
20 A  
20 A(*)  
■
■
■
■
■
■
TYPICAL RDS(on) = 0.06 Ω  
AVALANCHE RUGGED TECHNOLOGY  
100% AVALANCHE TESTED  
175oC OPERATING TEMPERATURE  
HIGH dv/dt CAPABILITY  
3
3
2
2
1
1
APPLICATION ORIENTED  
CHARACTERIZATION  
TO-220  
TO-220FP  
DESCRIPTION  
This Power MOSFET is the latest development of  
STMicroelectronis unique "Single Feature Size™"  
strip-based process. The resulting transistor  
shows extremely high packing density for low on-  
resistance, rugged avalanche characteristics and  
Figure 2: Internal Schematic Diagram  
less critical alignment steps therefore  
a
remarkable manufacturing reproducibility  
APPLICATIONS  
■
DC MOTOR CONTROL  
■
DC-DC & DC-AC CONVERTERS  
Table 2: Order Codes  
Part Number  
STP20NF06  
MARKING  
P20NF06  
F20NF06  
PACKAGE  
TO-220  
TO-220FP  
PACKAGING  
TUBE  
STF20NF06  
TUBE  
Table 3: ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
Parameter  
Value  
Unit  
STP20NF06  
STF20NF06  
V
Drain-source Voltage (V = 0)  
60  
60  
V
V
DS  
GS  
V
DGR  
Drain-gate Voltage (R = 20 kΩ)  
GS  
V
Gate- source Voltage  
± 20  
V
GS  
I
I
Drain Current (continuous) at T = 25°C  
20  
14  
80  
60  
0.4  
20(*)  
14(*)  
80(*)  
28  
A
A
A
W
W/°C  
V/ns  
mJ  
D
C
Drain Current (continuous) at T = 100°C  
D
C
I
(•)  
Drain Current (pulsed)  
DM  
P
Total Dissipation at T = 25°C  
tot  
C
Derating Factor  
0.18  
(1)  
Peak Diode Recovery voltage slope  
Single Pulse Avalanche Energy  
Storage Temperature  
9
120  
dv/dt  
(2)  
E
AS  
T
stg  
-55 to 175  
°C  
T
Operating Junction Temperature  
j
(•) Pulse width limited by safe operating area.  
(*)Refer to soa for the max allowable current value on FP-type due  
to Rth value  
(1) I ≤20A, di/dt ≤200A/µs, V ≤ V  
, T ≤ T  
(BR)DSS j JMAX  
SD  
DD  
o
(2) Starting T = 25 C, I = 10A, V = 30V  
j
D
DD  
Rev. 1  
December 2004  
1/10  
1234567...10

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STF20NF06 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
STF20NF06L STMICROELECTRONICS

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STF40NF06 STMICROELECTRONICS

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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STF20NK50Z STMICROELECTRONICS

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 		暂无描述
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