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STD30N6LF6AG PDF预览

STD30N6LF6AG

更新时间： 2024-11-28 14:57:51
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS /
页数 文件大小 规格书
15页 434K
描述
汽车级N沟道60 V、19 mOhm典型值、24 A STripFET F6功率MOSFET，DPAK封装

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STD30N6LF6AG 技术参数

生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
Factory Lead Time：22 weeks风险等级：1.51
雪崩能效等级（Eas）：130 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：60 V
最大漏极电流 (ID)：24 A最大漏源导通电阻：0.03 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-252
JESD-30 代码：R-PSSO-G2元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C最低工作温度：-55 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：40 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：96 A参考标准：AEC-Q101
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

STD30N6LF6AG 数据手册

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STD30N6LF6AG  
Automotive-grade N-channel 60 V, 19 mΩ typ., 24 A  
STripFET™ F6 Power MOSFET in a DPAK package  
Datasheet - production data  
Features  
Order code  
VDS RDS(on) max.  
25 mΩ  
ID  
PTOT  
STD30N6LF6AG 60 V  
24 A 40 W  
•
Designed for automotive applications and  
AEC-Q101 qualified  
•
•
•
•
Very low on-resistance  
Very low gate charge  
High avalanche ruggedness  
Low gate drive power loss  
Figure 1: Internal schematic diagram  
Applications  
D(2, TAB)  
•
Switching applications  
Description  
This device is an N-channel Power MOSFET  
developed using the STripFET™ F6 technology  
with a new trench gate structure. The resulting  
Power MOSFET exhibits very low RDS(on) in all  
packages.  
G(1)  
S(3)  
AM01475v1_Tab  
Table 1: Device summary  
Order code  
Marking  
Package  
DPAK  
Packing  
STD30N6LF6AG  
30N6LF6  
Tape and Reel  
June 2015  
DocID028036 Rev 1  
1/15  
www.st.com  
This is information on a product in full production.  
1234567...15

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与STD30N6LF6AG相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
STD30NE06 STMICROELECTRONICS

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 		N - CHANNEL 60V - 0.025 ohm - 30A - DPAK STripFET POWER MOSFET
STD30NE06L STMICROELECTRONICS

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 		N - CHANNEL 60V - 0.025 ohm - 30A TO-252 STripFET POWER MOSFET
STD30NE06LT4 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 30A I(D) | TO-252AA
STD30NE06T4 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		STD30NE06T4
STD30NF03L STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N - CHANNEL 30V - 0.020 ohm - 30A DPAK STripFET POWER MOSFET
STD30NF03L_07 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N-channel 30V - 0.020ohm - 30A - DPAK/IPAK STripFET TM II Power MOSFET
STD30NF03L-1 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N-channel 30V - 0.020ohm - 30A - DPAK/IPAK STripFET TM II Power MOSFET
STD30NF03LT STMICROELECTRONICS

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 		N-channel 30V - 0.017ohm - 30A - DPAK STripFET TM II Power MOSFET
STD30NF03LT4 STMICROELECTRONICS

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 		N-channel 30V - 0.020ohm - 30A - DPAK/IPAK STripFET TM II Power MOSFET
STD30NF03LTT4 STMICROELECTRONICS

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 		N-channel 30V - 0.017ohm - 30A - DPAK STripFET TM II Power MOSFET

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