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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> STD30PF03L
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STD30PF03L

更新时间： 2024-09-19 22:08:03
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
8页 322K
描述
P-CHANNEL 30V - 0.025ohm - 24A DPAK/IPAK STripFET⑩ II POWER MOSFET

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STD30PF03L 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Not Recommended零件包装代码：TO-252AA
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.16雪崩能效等级（Eas）：850 mJ
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：24 A最大漏极电流 (ID)：24 A
最大漏源导通电阻：0.04 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-252AAJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：70 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：96 A
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

STD30PF03L 数据手册

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STD30PF03L  
STD30PF03L-1  
P-CHANNEL 30V - 0.025Ω - 24A DPAK/IPAK  
STripFET™ II POWER MOSFET  
PRELIMINARY DATA  
TYPE  
V
DSS  
R
I
D
DS(on)  
STD30PF03L  
STD30PF03L-1  
30 V  
30 V  
< 0.028Ω  
< 0.028Ω  
24 A  
24 A  
3
3
■
■
TYPICAL R  
STANDARD OUTLINE FOR EASY  
= 0.025Ω  
DS(on)  
2
1
1
AUTOMATED SURFACE MOUNT ASSEMBLY  
LOW THRESHOLD DRIVE  
LOW GATE CHARGE  
■
■
■
DPAK  
IPAK  
EXTREMELY LOW FIGURE OF MERIT  
(R  
* Q )  
g
DS(on)  
DESCRIPTION  
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM  
This Power MOSFET is the latest development of  
STMicroelectronics unique “Single Feature  
Size™” strip-based process. The resulting transis-  
tor shows extremely high packing density for low  
on-resistance and low gate charge.  
APPLICATIONS  
■
DC-DC CONVERTERS  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
Parameter  
Value  
Unit  
V
Drain-source Voltage (V = 0)  
30  
30  
V
V
DS  
GS  
V
Drain-gate Voltage (R = 20 kΩ)  
DGR  
GS  
V
Gate- source Voltage  
± 16  
24  
V
GS  
I (#)  
D
Drain Current (continuous) at T = 25°C  
A
C
I (#)  
D
Drain Current (continuous) at T = 100°C  
24  
A
C
I
( )  
Drain Current (pulsed)  
96  
A
DM  
P
TOT  
Total Dissipation at T = 25°C  
70  
W
C
Derating Factor  
0.47  
– 55 to 175  
175  
W/°C  
°C  
°C  
T
stg  
Storage Temperature  
T
Max. Operating Junction Temperature  
j
Note:For the P-CHANNEL MOSFET actual polarity of voltages and  
current has to be reversed  
(●) Pulse width limited by safe operating area  
(#) Current limited by wire bonding  
May 2002  
1/8  
12345678

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STD30PF03L 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
FDD6685 ONSEMI

功能相似

 30V，P 沟道，PowerTrench® MOSFET，-40A，20mΩ
SUD09P10-195-GE3 VISHAY

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 MOSFET P-CH 100V DPAK
STD30PF03LT4 STMICROELECTRONICS

功能相似

 P-channel 30 V - 0.025 Ω - 24 A - DPAK / IPAK

与STD30PF03L相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
STD30PF03L-1 STMICROELECTRONICS

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 		P-CHANNEL 30V - 0.025ohm - 24A DPAK/IPAK STri
STD30PF03LT4 STMICROELECTRONICS

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 		P-channel 30 V - 0.025 Ω - 24 A - DPAK / IPAK
STD30PF30L ETC

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 		P-CHANNEL 30V - 0.025 OHM - 24A IPAK/DPAK STRIPFET II POWER MOSFET
STD310C1000C3850 KOA

获取价格

 		RTD Platinum Sensor, 1000ohm, Rectangular, Through Hole Mount, 3 X 2 MM, 1.20 HEIGHT, ROHS
STD310C100C3850 KOA

获取价格

 		RTD Platinum Sensor, 100ohm, Rectangular, Through Hole Mount, 3 X 2 MM, 1.20 HEIGHT, ROHS
STD310C500C3850 KOA

获取价格

 		RTD Platinum Sensor, 500ohm, Rectangular, Through Hole Mount, 3 X 2 MM, 1.20 HEIGHT, ROHS
STD310LTC1000B3850 KOA

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 		RTD Platinum Sensor, 1000ohm, Rectangular, Through Hole Mount, 3 X 2 MM, 1.20 HEIGHT, ROHS
STD310LTC500B3850 KOA

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 		RTD Platinum Sensor, 500ohm, Rectangular, Through Hole Mount, 3 X 2 MM, 1.20 HEIGHT, ROHS
STD310LTM1000B3850 KOA

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 		RTD Platinum Sensor, 1000ohm, Rectangular, Through Hole Mount, 3 X 2 MM, 1.20 HEIGHT, ROHS
STD310LTM1000C3850 KOA

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