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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> STD30NE06LT4
STD30NE06LT4 PDF预览

STD30NE06LT4

更新时间： 2024-09-19 23:34:59
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
8页 88K
描述
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 30A I(D) | TO-252AA

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STD30NE06LT4 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-252AA包装说明：DPAK-3
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.67
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：100 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：60 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：30 A
最大漏极电流 (ID)：30 A最大漏源导通电阻：0.03 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-252AA
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：55 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：120 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

STD30NE06LT4 数据手册

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STD30NE06L  
N - CHANNEL 60V - 0.025 Ω - 30A TO-252  
STripFET POWER MOSFET  
TYPE  
VDSS  
RDS(on)  
ID  
STD30NE06L  
60 V  
< 0.03 Ω  
30 A  
■
■
■
■
■
TYPICAL RDS(on) = 0.025 Ω  
EXCEPTIONAL dv/dt CAPABILITY  
100% AVALANCHE TESTED  
LOW GATE CHARGE 100oC  
APPLICATIONORIENTED  
CHARACTERIZATION  
3
1
■
ADD SUFFIX ”T4” FOR ORDERING IN TAPE  
& REEL  
DPAK  
TO-252  
(Suffix ”T4”)  
DESCRIPTION  
This Power MOSFET is the latest developmentof  
STMicroelectronics unique ”Single Feature  
Size ” strip-based process. The resulting transi-  
stor shows extremely high packing density for low  
on-resistance, rugged avalanche characteristics  
and less critical alignment steps therefore a re-  
markable manufacturingreproducibility.  
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM  
APPLICATIONS  
■
■
■
■
HIGH CURRENT, HIGH SPEED SWITCHING  
SOLENOID AND RELAY DRIVERS  
MOTOR CONTROL, AUDIO AMPLIFIERS  
DC-DC & DC-AC CONVERTERS  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
VDS  
VDGR  
VGS  
ID  
Parameter  
Value  
60  
Unit  
Drain-source Voltage (VGS = 0)  
Drain- gate Voltage (RGS = 20 kΩ)  
Gate-source Voltage  
V
V
60  
± 20  
30  
V
o
Drain Current (continuous) at Tc = 25 C  
A
o
ID  
Drain Current (continuous) at Tc = 100 C  
21  
A
IDM( ) Drain Current (pulsed)  
120  
55  
A
•
o
Ptot  
Total Dissipation at Tc = 25 C  
Derating Factor  
W
0.37  
7
W/oC  
V/ns  
oC  
oC  
dv/dt (1) Peak Diode Recovery voltage slope  
Tstg  
Storage Temperature  
-65 to 175  
175  
Tj  
Max. Operating Junction Temperature  
(•) Pulse width limited by safe operating area  
( ) ISD ≤30A, di/dt ≤ 300 A/µs, VDD ≤ V(BR)DSS, Tj ≤ TJMAX  
1
1/8  
May 1999  
12345678

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STD30NE06LT4 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
STD30NE06L STMICROELECTRONICS

完全替代

 N - CHANNEL 60V - 0.025 ohm - 30A TO-252 STripFET POWER MOSFET

与STD30NE06LT4相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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