STD30NF03LT

更新时间： 2024-09-20 04:01:59

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意法半导体 - STMICROELECTRONICS		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
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13页	312K
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N-channel 30V - 0.017ohm - 30A - DPAK STripFET TM II Power MOSFET

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STD30NF03LT 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-252AA
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.75	其他特性：	LOGIC LEVEL COMPATIBLE
雪崩能效等级（Eas）：	2300 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	30 V
最大漏极电流 (ID)：	30 A	最大漏源导通电阻：	0.035 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-252AA
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	120 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

STD30NF03LT 数据手册

STD30NF03LT

N-channel 30V - 0.017Ω - 30A - DPAK

STripFET™ II Power MOSFET

General features

Type

V_DSS

R_DS(on)

I_D

30A

STD30NF03LT

30V

< 0.025Ω

■ Low threshold drive

Description

This Power MOSFET is the latest development of

STMicroelectronics unique "Single Feature

Size™" strip-based process. The resulting

transistor shows extremely high packing density

for low on-resistance, rugged avalanche

characteristics and less critical alignment steps

therefore a remarkable manufacturing

reproducibility.

DPAK

Internal schematic diagram

Applications

■ Switching application

Order codes

Part number

Marking

Package

Packaging

STD30NF03LTT4

D30NF03LT

DPAK

Tape & reel

February 2007

Rev 3

1/13

www.st.com

12 3 4 5 6 7...13

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
STD30NF03LT4	STMICROELECTRONICS	获取价格	N-channel 30V - 0.020ohm - 30A - DPAK/IPAK STripFET TM II Power MOSFET
STD30NF03LTT4	STMICROELECTRONICS	获取价格	N-channel 30V - 0.017ohm - 30A - DPAK STripFET TM II Power MOSFET
STD30NF06	STMICROELECTRONICS	获取价格	N-CHANNEL 60V - 0.020 ohm - 28A IPAK/DPAK STr
STD30NF06-1	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 60V V(BR)DSS \| 28A I(D) \| TO-251AA
STD30NF06L	STMICROELECTRONICS	获取价格	N-CHANNEL 60V - 0.022ohm - 35A DPAK/IPAK STri
STD30NF06L	UMW	获取价格	种类:N-Channel;漏源电压（Vdss）:60V;持续漏极电流（Id）（在25°C时
STD30NF06L-1	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 60V V(BR)DSS \| 35A I(D) \| TO-251AA
STD30NF06LAG	STMICROELECTRONICS	获取价格	汽车级N沟道60 V、22 mOhm典型值、35 A STripFET II功率MOSFE
STD30NF06LT4	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 60V V(BR)DSS \| 35A I(D) \| TO-252AA
STD30NF06T4	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 60V V(BR)DSS \| 28A I(D) \| TO-252AA