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意法半导体 - STMICROELECTRONICS | / | |
页数 | 文件大小 | 规格书 |
14页 | 331K | |
描述 | ||
N-channel 30V - 0.020ohm - 30A - DPAK/IPAK STripFET TM II Power MOSFET |
是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | TO-252 | 包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
针数: | 3 | Reach Compliance Code: | not_compliant |
ECCN代码: | EAR99 | 风险等级: | 7.15 |
其他特性: | LOW THRESHOLD | 雪崩能效等级(Eas): | 100 mJ |
外壳连接: | DRAIN | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 30 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 30 A |
最大漏极电流 (ID): | 30 A | 最大漏源导通电阻: | 0.035 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码: | TO-252 |
JESD-30 代码: | R-PSSO-G2 | JESD-609代码: | e3 |
湿度敏感等级: | 1 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 2 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 175 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 40 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 120 A |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | FET General Purpose Power |
表面贴装: | YES | 端子面层: | Matte Tin (Sn) - annealed |
端子形式: | GULL WING | 端子位置: | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
STD30NF03LTT4 | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 30V - 0.017ohm - 30A - DPAK STripFET TM II Power MOSFET | |
STD30NF06 | STMICROELECTRONICS |
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N-CHANNEL 60V - 0.020 ohm - 28A IPAK/DPAK STr | |
STD30NF06-1 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 28A I(D) | TO-251AA | |
STD30NF06L | STMICROELECTRONICS |
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N-CHANNEL 60V - 0.022ohm - 35A DPAK/IPAK STri | |
STD30NF06L | UMW |
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种类:N-Channel;漏源电压(Vdss):60V;持续漏极电流(Id)(在25°C时 | |
STD30NF06L-1 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 35A I(D) | TO-251AA | |
STD30NF06LAG | STMICROELECTRONICS |
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汽车级N沟道60 V、22 mOhm典型值、35 A STripFET II功率MOSFE | |
STD30NF06LT4 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 35A I(D) | TO-252AA | |
STD30NF06T4 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 28A I(D) | TO-252AA | |
STD30NF06T4 | STMICROELECTRONICS |
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N沟道60V - 0.020 Ohm - 28A - DPAK StripFET(TM) |