是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | TO-252 | 包装说明: | DPAK-3 |
针数: | 3 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | 风险等级: | 5.66 |
Is Samacsys: | N | 雪崩能效等级(Eas): | 230 mJ |
外壳连接: | DRAIN | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 60 V | 最大漏极电流 (ID): | 28 A |
最大漏源导通电阻: | 0.028 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码: | TO-252 | JESD-30 代码: | R-PSSO-G2 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 2 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 112 A | 认证状态: | Not Qualified |
表面贴装: | YES | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
STP10P6F6 | STMICROELECTRONICS |
功能相似 |
P-channel 60 V, 0.15 Ω typ., 10 A STripFETâ | |
2SK2266 | TOSHIBA |
功能相似 |
N CHANNEL MOS TYPE (HIGH SPEED, HIGH VOLTAGE SWITCHING, CHOPPER REGULATOR, DC-DC CONVERTER | |
FQU2N60C | FAIRCHILD |
功能相似 |
600V N-Channel MOSFET |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
STD30NF06-1 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 28A I(D) | TO-251AA | |
STD30NF06L | STMICROELECTRONICS |
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N-CHANNEL 60V - 0.022ohm - 35A DPAK/IPAK STri | |
STD30NF06L | UMW |
获取价格 |
种类:N-Channel;漏源电压(Vdss):60V;持续漏极电流(Id)(在25°C时 | |
STD30NF06L-1 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 35A I(D) | TO-251AA | |
STD30NF06LAG | STMICROELECTRONICS |
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汽车级N沟道60 V、22 mOhm典型值、35 A STripFET II功率MOSFE | |
STD30NF06LT4 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 35A I(D) | TO-252AA | |
STD30NF06T4 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 28A I(D) | TO-252AA | |
STD30NF06T4 | STMICROELECTRONICS |
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N沟道60V - 0.020 Ohm - 28A - DPAK StripFET(TM) | |
STD30PF03L | STMICROELECTRONICS |
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P-CHANNEL 30V - 0.025ohm - 24A DPAK/IPAK STri | |
STD30PF03L-1 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
P-CHANNEL 30V - 0.025ohm - 24A DPAK/IPAK STri |