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STD30NE06T4 PDF预览

STD30NE06T4

更新时间： 2024-09-20 19:43:03
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS /
页数 文件大小 规格书
5页 47K
描述
STD30NE06T4

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STD30NE06T4 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
Reach Compliance Code：not_compliant风险等级：5.9
配置：Single最大漏极电流 (Abs) (ID)：30 A
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-609代码：e0
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：55 W
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)Base Number Matches：1

STD30NE06T4 数据手册

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STD30NE06  
®
N - CHANNEL 60V - 0.025 Ω - 30A - DPAK  
STripFET " POWER MOSFET  
PRELIMINARY DATA  
TYPE  
STD30NE06  
VDSS  
RDS(on)  
ID  
60 V  
< 0.03 Ω  
30 A  
■
■
■
■
■
TYPICAL RDS(on) = 0.025 Ω  
EXCEPTIONAL dv/dt CAPABILITY  
100% AVALANCHE TESTED  
LOW GATE CHARGE 100 oC  
APPLICATION ORIENTED  
CHARACTERIZATION  
3
■
FOR TAPE & REEL AND OTHER  
PACKAGING OPTIONS CONTACT SALES  
OFFICES  
1
DPAK  
TO-252  
(Suffix "T4")  
DESCRIPTION  
This Power Mosfet is the latest development of  
SGS-THOMSON unique "Single Feature Size  
"
strip-based process. The resulting transistor  
shows extremely high packing density for low on-  
resistance, rugged avalance characteristics and  
less critical alignment steps therefore a remark-  
able manufacturing reproducibility.  
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM  
APPLICATIONS  
■
■
■
■
HIGH CURRENT, HIGH SPEED SWITCHING  
SOLENOID AND RELAY DRIVERS  
MOTOR CONTROL, AUDIO AMPLIFIERS  
DC-DC & DC-AC CONVERTERS  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
VDS  
VDGR  
VGS  
ID  
Parameter  
Value  
Unit  
Drain-source Voltage (VGS = 0)  
Drain- gate Voltage (RGS = 20 kΩ)  
Gate-source Voltage  
60  
60  
V
V
± 20  
30  
V
o
Drain Current (continuous) at Tc = 25 C  
A
o
ID  
Drain Current (continuous) at Tc = 100 C  
21  
A
I
DM(•)  
Drain Current (pulsed)  
120  
55  
A
o
Ptot  
Total Dissipation at Tc = 25 C  
W
Derating Factor  
0.37  
7
W/oC  
V/ns  
oC  
oC  
dv/dt  
Tstg  
Tj  
Peak Diode Recovery voltage slope  
Storage Temperature  
-65 to 175  
Max. Operating Junction Temperature  
175  
(•) Pulse width limited by safe operating area  
(1) ISD ≤20 A, di/dt ≤ 300 A/µs, VDD ≤ V(BR)DSS, Tj ≤ TJMAX  
1/5  
July 1998  
12345

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
STD30NF03L STMICROELECTRONICS

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 		N-channel 30V - 0.020ohm - 30A - DPAK/IPAK STripFET TM II Power MOSFET
STD30NF03LT STMICROELECTRONICS

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STD30NF06-1 ETC

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 		N-CHANNEL 60V - 0.022ohm - 35A DPAK/IPAK STri
STD30NF06L UMW

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 		种类:N-Channel;漏源电压（Vdss）:60V;持续漏极电流（Id）（在25°C时

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