是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | TO-252 |
包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | 针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | not_compliant | ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 5.14 | Is Samacsys: | N |
其他特性: | LOW THRESHOLD | 雪崩能效等级(Eas): | 100 mJ |
外壳连接: | DRAIN | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 30 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 30 A |
最大漏极电流 (ID): | 30 A | 最大漏源导通电阻: | 0.035 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码: | TO-252 |
JESD-30 代码: | R-PSSO-G2 | JESD-609代码: | e3 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 2 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 175 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 40 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 120 A | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | FET General Purpose Power | 表面贴装: | YES |
端子面层: | Matte Tin (Sn) | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
STD30NF03L_07 | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 30V - 0.020ohm - 30A - DPAK/IPAK STripFET TM II Power MOSFET | |
STD30NF03L-1 | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 30V - 0.020ohm - 30A - DPAK/IPAK STripFET TM II Power MOSFET | |
STD30NF03LT | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 30V - 0.017ohm - 30A - DPAK STripFET TM II Power MOSFET | |
STD30NF03LT4 | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 30V - 0.020ohm - 30A - DPAK/IPAK STripFET TM II Power MOSFET | |
STD30NF03LTT4 | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 30V - 0.017ohm - 30A - DPAK STripFET TM II Power MOSFET | |
STD30NF06 | STMICROELECTRONICS |
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N-CHANNEL 60V - 0.020 ohm - 28A IPAK/DPAK STr | |
STD30NF06-1 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 28A I(D) | TO-251AA | |
STD30NF06L | STMICROELECTRONICS |
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N-CHANNEL 60V - 0.022ohm - 35A DPAK/IPAK STri | |
STD30NF06L | UMW |
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种类:N-Channel;漏源电压(Vdss):60V;持续漏极电流(Id)(在25°C时 | |
STD30NF06L-1 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 35A I(D) | TO-251AA |