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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | TO-251AA |
| 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.75 | 其他特性： | LOW THRESHOLD |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 100 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 30 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 30 A | 最大漏极电流 (ID)： | 30 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.035 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-251AA | JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 |
| JESD-609代码： | e3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 40 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 120 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| STD30NF03LT | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 30V - 0.017ohm - 30A - DPAK STripFET TM II Power MOSFET |
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| STD30NF03LT4 | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 30V - 0.020ohm - 30A - DPAK/IPAK STripFET TM II Power MOSFET |
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| STD30NF03LTT4 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 30V - 0.017ohm - 30A - DPAK STripFET TM II Power MOSFET |
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| STD30NF06 | STMICROELECTRONICS |
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N-CHANNEL 60V - 0.020 ohm - 28A IPAK/DPAK STr |
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| STD30NF06-1 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 28A I(D) | TO-251AA |
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| STD30NF06L | STMICROELECTRONICS |
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N-CHANNEL 60V - 0.022ohm - 35A DPAK/IPAK STri |
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| STD30NF06L | UMW |
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种类:N-Channel;漏源电压（Vdss）:60V;持续漏极电流（Id）（在25°C时 |
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| STD30NF06L-1 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 35A I(D) | TO-251AA |
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| STD30NF06LAG | STMICROELECTRONICS |
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汽车级N沟道60 V、22 mOhm典型值、35 A STripFET II功率MOSFE |
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| STD30NF06LT4 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 35A I(D) | TO-252AA |
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