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SSM3J46CTB(TPL3)

更新时间： 2024-11-18 21:18:31
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA /
页数 文件大小 规格书
6页 226K
描述
MOSFET P-CH 20V 2A CST3B

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SSM3J46CTB(TPL3) 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Active
Reach Compliance Code：unknown风险等级：1.69
配置：Single最大漏极电流 (Abs) (ID)：2 A
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C极性/信道类型：P-CHANNEL
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
Base Number Matches：1

SSM3J46CTB(TPL3) 数据手册

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SSM3J46CTB  
TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon P-Channel MOS Type (U-MOS VI)  
SSM3J46CTB  
○ Power Management Switch Applications  
Unit: mm  
•
•
1.5 V drive  
Low ON-resistance: R  
= 250 mΩ (max) (@V  
= 178 mΩ (max) (@V  
= 133 mΩ (max) (@V  
= 103 mΩ (max) (@V  
= -1.5 V)  
= -1.8 V)  
= -2.5 V)  
= -4.5 V)  
DS(ON)  
DS(ON)  
DS(ON)  
DS(ON)  
GS  
GS  
GS  
GS  
R
R
R
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Characteristic  
Drain-Source voltage  
Symbol  
Rating  
-20  
Unit  
V
V
V
DSS  
Gate-Source voltage  
± 8  
V
GSS  
DC  
I
-2.0  
D
Drain current  
A
Pulse  
I
-4.0  
DP  
Power dissipation  
P
(Note 1)  
1000  
150  
mW  
°C  
D
1. Gate  
2. Source  
3. Drain  
Channel temperature  
Storage temperature range  
T
T
ch  
−55 to 150  
°C  
CST3B  
stg  
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high  
temperature/current/voltage and the significant change in  
temperature, etc.) may cause this product to decrease in the  
reliability significantly even if the operating conditions (i.e.  
operating temperature/current/voltage, etc.) are within the  
absolute maximum ratings.  
JEDEC  
JEITA  
―
―
TOSHIBA  
2-1T1A  
Weight: 1.5 mg (typ.)  
Please design the appropriate reliability upon reviewing the  
Toshiba Semiconductor Reliability Handbook (“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and  
individual reliability data (i.e. reliability test report and estimated failure rate, etc).  
Note 1: Mounted on a FR4 board.  
(25.4 mm × 25.4 mm × 1.6 mm, Cu Pad: 645 mm2)  
Marking (top view)  
Pin Condition (top view)  
Equivalent Circuit  
3
1
3
2
S V  
Polarity mark  
(on the top)  
Polarity mark  
1. Gate  
2. Source  
3. Drain  
1
2
*Electrodes: on the bottom  
Start of commercial production  
2010-02  
1
2015-11-26  
123456

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与SSM3J46CTB(TPL3)相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SSM3J56ACT TOSHIBA

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SSM3J56MFV TOSHIBA

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SSM3J64CTC TOSHIBA

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 		P-ch MOSFET, -12 V, -1.0 A, 0.37 Ω@4.5V, CST3
SSM3J65CTC TOSHIBA

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 		P-ch MOSFET, -20 V, -0.7 A, 0.5 Ω@4.5V, CST3C
SSM3J66MFV TOSHIBA

获取价格

 		P-ch MOSFET, -20 V, -0.8 A, 0.39 Ω@4.5V, SOT-
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 		High Speed Switching Applications
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 		Small Signal Field-Effect Transistor, 1.3A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
SSM3K01F(TE85L,F) TOSHIBA

获取价格

 		TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,30V V(BR)DSS,1.3A I(D),TO-236AB
SSM3K01F,LCOWEF(A TOSHIBA

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor, 1.3A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
SSM3K01T TOSHIBA

获取价格

 		TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type

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