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SSM3K01F,LCOWEF(A

更新时间： 2024-09-29 21:20:47
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 305K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 1.3A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

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SSM3K01F,LCOWEF(A 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：SC-59, TO-236MOD, 3 PIN
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.69
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (ID)：1.3 A最大漏源导通电阻：0.15 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：N-CHANNEL表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

SSM3K01F,LCOWEF(A 数据手册

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SSM3K01F  
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type  
SSM3K01F  
High Speed Switching Applications  
Unit: mm  
•
•
Small package  
Low on resistance: Ron = 120 mΩ (max) (V  
= 4 V)  
GS  
GS  
: Ron = 150 mΩ (max) (V  
= 2.5 V)  
•
Low gate threshold voltage: V = 0.6 to 1.1 V (V  
= 3 V, I = 0.1 mA)  
DS D  
th  
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Characteristics  
Drain-source voltage  
Symbol  
Rating  
Unit  
V
30  
±10  
V
V
DS  
Gate-source voltage  
V
GSS  
DC  
I
1.3  
D
Drain current  
A
Pulse  
I
2.6  
DP  
Drain power dissipation  
Channel temperature  
P
200  
mW  
°C  
D
ch  
stg  
T
150  
Storage temperature range  
T
−55 to 150  
°C  
JEDEC  
JEITA  
TO-236MOD  
SC-59  
Note:  
Using continuously under heavy loads (e.g. the application of  
high temperature/current/voltage and the significant change in  
temperature, etc.) may cause this product to decrease in the  
reliability significantly even if the operating conditions (i.e.  
operating temperature/current/voltage, etc.) are within the  
absolute maximum ratings.  
TOSHIBA  
2-3F1F  
Weight: 0.012 g (typ.)  
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook  
(“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test  
report and estimated failure rate, etc).  
Marking  
Equivalent Circuit  
Handling Precaution  
When handling individual devices (which are not yet mounted on a circuit board), be sure that the environment  
is protected against electrostatic electricity. Operators should wear anti-static clothing, and containers and other  
objects that come into direct contact with devices should be made of anti-static materials.  
Start of commercial production  
1998-04  
1
2014-03-01  
12345

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SSM3K01T TOSHIBA

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 		TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,30V V(BR)DSS,3.2A I(D),TO-236
SSM3K01T(TE85LF) TOSHIBA

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 		Small Signal Field-Effect Transistor
SSM3K01T_07 TOSHIBA

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 		High Speed Switching Applications
SSM3K02F TOSHIBA

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 		TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type
SSM3K02F(TE85L) TOSHIBA

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 		SSM3K02F(TE85L)
SSM3K02F(TE85L,F) TOSHIBA

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