SSM3K02F

更新时间： 2024-11-17 22:14:19

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东芝 - TOSHIBA		晶体晶体管场效应晶体管开关光电二极管
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描述
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type

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SSM3K02F 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SOT-23
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.95	风险等级：	5.83
Is Samacsys：	N	其他特性：	LOW THRESHOLD
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	1 A	最大漏极电流 (ID)：	1 A
最大漏源导通电阻：	0.25 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-236	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	0.2 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

SSM3K02F 数据手册

SSM3K02F

TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type

SSM3K02F

High Speed Switching Applications

Unit: mm

Small package

Low on resistance: R = 200 mΩ (max) (V

= 4 V)

: R = 250 mΩ (max) (V

= 2.5 V)

Low gate threshold voltage: V = 0.6~1.1 V (V = 3 V, I = 0.1 mA)

th DS D

Maximum Ratings (Ta = 25°C)

Characteristics

Symbol

Rating

Unit

Drain-source voltage

Gate-source voltage

±10

GSS

Drain current

1.0

Pulse

2.0

Drain power dissipation

Channel temperature

200

°C

JEDEC

JEITA

TO-236MOD

SC-59

150

Storage temperature range

-55~150

°C

stg

TOSHIBA

2-3F1F

Weight: 0.012 g (typ.)

Marking

Equivalent Circuit

Handling Precaution

When handling individual devices (which are not yet mounted on a circuit board), be sure that the environment

is protected against electrostatic electricity. Operators should wear anti-static clothing, and containers and other

objects that come into direct contact with devices should be made of anti-static materials.

2003-03-27

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