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Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> SSM3K105TU
SSM3K105TU PDF预览

SSM3K105TU

更新时间： 2024-09-29 04:02:43
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 晶体开关小信号场效应晶体管光电二极管
页数 文件大小 规格书
5页 471K
描述
Silicon N Channel MOS Type High Speed Switching Applications

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SSM3K105TU 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：LEAD FREE, 2-2U1A, UFM, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.72Is Samacsys：N
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (ID)：2.1 A最大漏源导通电阻：0.48 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-F3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：N-CHANNEL认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：FLAT
端子位置：DUAL晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

SSM3K105TU 数据手册

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SSM3K105TU  
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type  
SSM3K105TU  
High Speed Switching Applications  
Unit: mm  
•
•
4V drive  
Low on-resistance:  
R
on  
R
on  
R
on  
= 480mΩ (max) (@V  
= 200mΩ (max) (@V  
= 3.3V)  
= 4V)  
GS  
GS  
GS  
2.1±0.1  
1.7±0.1  
= 110mΩ (max) (@V  
= 10V)  
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
1
Characteristic  
Drain-Source voltage  
Symbol  
Rating  
Unit  
3
2
V
30  
± 20  
2.1  
V
V
DS  
Gate-Source voltage  
V
GSS  
DC  
I
D
Drain current  
A
Pulse  
I
4.2  
DP  
P
P
800  
D (Note 1)  
D (Note 2)  
Drain power dissipation  
Channel temperature  
mW  
500  
T
150  
°C  
°C  
ch  
1: Gate  
Storage temperature range  
T
−55~150  
stg  
2: Source  
3: Drain  
Note:  
Using continuously under heavy loads (e.g. the application of  
high temperature/current/voltage and the significant change in  
temperature, etc.) may cause this product to decrease in the  
reliability significantly even if the operating conditions (i.e.  
operating temperature/current/voltage, etc.) are within the  
absolute maximum ratings.  
Please design the appropriate reliability upon reviewing the  
Toshiba Semiconductor Reliability Handbook (“Handling  
Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual  
reliability data (i.e. reliability test report and estimated failure  
rate, etc).  
UFM  
JEDEC  
JEITA  
―
―
TOSHIBA  
2-2U1A  
Weight: 6.6 mg (typ.)  
Note 1: Mounted on ceramic board.  
(25.4 mm × 25.4 mm × 0.8 mm, Cu Pad: 645 mm2 )  
Note 2: Mounted on FR4 board.  
(25.4 mm × 25.4 mm × 1.6 mm, Cu Pad: 645 mm2 )  
Electrical Characteristics (Ta = 25°C)  
Characteristic  
Drain-Source breakdown voltage  
Drain cut-off current  
Symbol  
Test Conditions  
I = 1 mA, V = 0  
D
Min  
30  
⎯
Typ.  
⎯
Max  
⎯
Unit  
V
V
(BR) DSS  
GS  
= 30 V, V = 0  
GS  
I
V
V
V
V
⎯
1
μA  
μA  
V
DSS  
GSS  
DS  
GS  
DS  
DS  
Gate leakage current  
I
= ±16V, V = 0  
⎯
⎯
±1  
DS  
Gate threshold voltage  
V
= 5 V, I = 0.1 mA  
1.1  
1.0  
⎯
⎯
1.8  
⎯
th  
D
Forward transfer admittance  
⏐Y ⏐  
= 5 V, I = 0.75 A  
(Note3)  
(Note3)  
2.0  
85  
S
fs  
D
I
= 0.75 A, V  
= 10 V  
110  
D
GS  
Drain-Source on-resistance  
R
mΩ  
DS (ON)  
I
I
= 0.75 A, V  
= 0.75 A, V  
= 4 V  
(Note3)  
(Note3)  
⎯
⎯
150  
210  
200  
480  
D
D
GS  
GS  
= 3.3 V  
Input capacitance  
C
V
V
V
= 15 V, V  
= 15 V, V  
= 15 V, V  
= 0, f = 1 MHz  
= 0, f = 1 MHz  
= 0, f = 1 MHz  
⎯
⎯
⎯
⎯
102  
57  
⎯
⎯
pF  
pF  
iss  
DS  
DS  
DS  
GS  
GS  
GS  
Output capacitance  
C
oss  
pF  
ns  
V
Reverse transfer capacitance  
C
22  
⎯
rss  
on  
Turn-on time  
Switching time  
t
t
46  
⎯
V
V
= 15 V, I = 0.75 A,  
D
DD  
GS  
= 0~4 V, R = 10 Ω  
G
Turn-off time  
65  
⎯
⎯
⎯
off  
Drain-Source forward voltage  
Note3: Pulse test  
V
I
= −2.1A, V = 0 V  
GS  
(Note3)  
−0.95  
−1.3  
DSF  
D
1
2007-11-01  
12345

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