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Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> SSM3K15ACT
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SSM3K15ACT

更新时间： 2024-11-11 11:58:59
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 晶体开关小信号场效应晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 216K
描述
Load Switching Applications

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SSM3K15ACT 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：CHIP CARRIER, R-XBCC-N3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.2外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (ID)：0.1 A最大漏源导通电阻：6 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-XBCC-N3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：CHIP CARRIER
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子形式：NO LEAD端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

SSM3K15ACT 数据手册

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SSM3K15ACT  
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (U-MOS III)  
SSM3K15ACT  
Load Switching Applications  
Unit: mm  
•
•
2.5 V drive  
Low ON-resistance: R  
R
= 3.6 Ω (max) (@V  
= 6.0 Ω (max) (@V  
= 4 V)  
= 2.5 V)  
DS(ON)  
GS  
DS(ON)  
GS  
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Characteristics  
Drain-Source voltage  
Symbol  
Rating  
Unit  
V
V
30  
± 20  
V
V
DSS  
Gate-Source voltage  
GSS  
DC  
I
100  
D
Drain current  
mA  
Pulse  
I
400  
DP  
Power dissipation  
P (Note 1)  
100  
mW  
°C  
D
Channel temperature  
Storage temperature range  
T
ch  
150  
T
stg  
−55 to 150  
°C  
CST3  
Note:  
Using continuously under heavy loads (e.g. the application of  
high temperature/current/voltage and the significant change in  
temperature, etc.) may cause this product to decrease in the  
reliability significantly even if the operating conditions (i.e.  
operating temperature/current/voltage, etc.) are within the  
absolute maximum ratings.  
JEDEC  
―
―
JEITA  
TOSHIBA  
2-1J1B  
Weight: 0.75 mg (typ.)  
Please design the appropriate reliability upon reviewing the  
Toshiba Semiconductor Reliability Handbook (“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and  
individual reliability data (i.e. reliability test report and estimated failure rate, etc).  
Note 1: Mounted on FR4 board  
(10 mm × 10 mm × 1.0 mm, Cu Pad: 100 mm )  
2
Marking (Top View)  
Pin Condition (Top View)  
Equivalent Circuit  
Polarity mark  
Polarity mark (on the top)  
3
1
3
DI  
2
1. Gate  
2. Source  
1
2
3. Drain  
*Electrodes: On the bottom  
1
2010-11-29  
12345

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与SSM3K15ACT相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SSM3K15ACTC TOSHIBA

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 		N-ch MOSFET, 30 V, 0.1 A, 3.6 Ω@4V, CST3C
SSM3K15AFS TOSHIBA

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 		Load Switching Applications
SSM3K15AFS(TE85L) TOSHIBA

获取价格

 		TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,30V V(BR)DSS,100MA I(D),SOT-416VAR
SSM3K15AFS(TE85L,F) TOSHIBA

获取价格

 		TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,30V V(BR)DSS,100MA I(D),SOT-416VAR
SSM3K15AFU TOSHIBA

获取价格

 		TRANSISTOR 100 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, USM, 2-2E1E, SC-70, 3 PIN, F
SSM3K15AFU,LF(T TOSHIBA

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor
SSM3K15AMFV TOSHIBA

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 		Load Switching Applications
SSM3K15CT TOSHIBA

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 		High-Speed Switching Applications
SSM3K15F TOSHIBA

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 		High Speed Switching Applications
SSM3K15F(TE85L,F) TOSHIBA

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 		Trans MOSFET N-CH 30V 0.1A 3-Pin S-Mini T/R

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