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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.83 |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 30 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 1.5 A | 最大漏源导通电阻： | 0.36 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PDSO-F3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | FLAT |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SSM3K12T | TOSHIBA |
获取价格 |
CategoryTOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type/Category |
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| SSM3K12T_07 | TOSHIBA |
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Silicon N Channel MOS Type DC-DC Converter |
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| SSM3K131TU | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 6000 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, UFM, 2-2U1A, 3 PIN, FET Gen |
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| SSM3K131TU,LF | TOSHIBA |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor |
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| SSM3K14T | TOSHIBA |
获取价格 |
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (U-MOSII) |
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| SSM3K14T_07 | TOSHIBA |
获取价格 |
Silicon N Channel MOS Type DC-DC Converter |
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| SSM3K15ACT | TOSHIBA |
获取价格 |
Load Switching Applications |
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| SSM3K15ACTC | TOSHIBA |
获取价格 |
N-ch MOSFET, 30 V, 0.1 A, 3.6 Ω@4V, CST3C |
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| SSM3K15AFS | TOSHIBA |
获取价格 |
Load Switching Applications |
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| SSM3K15AFS(TE85L) | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,30V V(BR)DSS,100MA I(D),SOT-416VAR |
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