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SSM3K15FS(T5LPSE,F

更新时间： 2023-01-03 10:56:33
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 172K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.1A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

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SSM3K15FS(T5LPSE,F 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.6
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (ID)：0.1 A最大漏源导通电阻：7 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：N-CHANNEL表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

SSM3K15FS(T5LPSE,F 数据手册

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SSM3K15FS  
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type  
SSM3K15FS  
High Speed Switching Applications  
Unit: mm  
Analog Switching Applications  
•
•
Compact package suitable for high-density mounting  
Low ON-resistance  
: R = 4.0 Ω (max) (@V  
= 4 V)  
on  
GS  
GS  
: R = 7.0 Ω (max) (@V  
= 2.5 V)  
on  
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Characteristics  
Drain-Source voltage  
Symbol  
Rating  
Unit  
V
30  
±20  
V
V
DS  
Gate-Source voltage  
V
GSS  
DC  
I
100  
D
Drain current  
mA  
Pulse  
I
200  
DP  
Drain power dissipation (Ta = 25°C)  
Channel temperature  
P
100  
mW  
°C  
D
ch  
stg  
T
150  
Storage temperature range  
T
−55 to 150  
°C  
JEDEC  
JEITA  
―
―
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of  
high temperature/current/voltage and the significant change in  
temperature, etc.) may cause this product to decrease in the  
reliability significantly even if the operating conditions (i.e.  
operating temperature/current/voltage, etc.) are within the  
absolute maximum ratings.  
TOSHIBA  
2-2H1B  
Weight: 2.4 mg (typ.)  
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook  
(“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test  
report and estimated failure rate, etc).  
Marking  
Equivalent Circuit  
3
3
D P  
1
2
1
2
Handling Precaution  
When handling individual devices (which are not yet mounted on a circuit board), be sure that the  
environment is protected against electrostatic electricity. Operators should wear anti-static clothing, and  
containers and other objects that come into direct contact with devices should be made of anti-static materials.  
Start of commercial production  
2001-02  
1
2014-03-01  
12345

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与SSM3K15FS(T5LPSE,F相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SSM3K15FS(TE85L) TOSHIBA

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 		TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,30V V(BR)DSS,100MA I(D),SOT-416
SSM3K15FS(TE85L,F) TOSHIBA

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 		Trans MOSFET N-CH 30V 0.1A 3-Pin SSM T/R
SSM3K15FS_07 TOSHIBA

获取价格

 		Silicon N Channel MOS Type High Speed Switching Applications
SSM3K15FST5LFT TOSHIBA

获取价格

 		High Speed Switching Applications
SSM3K15FU TOSHIBA

获取价格

 		High Speed Switching Applications Analog Switch Applications
SSM3K15FU(F) TOSHIBA

获取价格

 		暂无描述
SSM3K15FU(T5LNOBIF TOSHIBA

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor, 0.1A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
SSM3K15FU(T5LPSD,F TOSHIBA

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 		Small Signal Field-Effect Transistor, 0.1A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
SSM3K15FU(TE85L) TOSHIBA

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 		TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,30V V(BR)DSS,100MA I(D),SC-70
SSM3K15FU,LPGF(T TOSHIBA

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 		暂无描述

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