SSM3K15FS

更新时间： 2024-02-06 07:14:28

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东芝 - TOSHIBA		晶体开关小信号场效应晶体管光电二极管
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6页	148K
描述
High Speed Switching Applications Analog Switching Applications

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SSM3K15FS 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	2-1B1B, TESM, 3 PIN
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.6	Is Samacsys：	N
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR	最小漏源击穿电压：	30 V
最大漏极电流 (ID)：	0.1 A	最大漏源导通电阻：	7 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-F3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

SSM3K15FS 数据手册

SSM3K15FS

TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type

SSM3K15FS

High Speed Switching Applications

Analog Switching Applications

Unit: mm

Compact package suitable for high-density mounting

Low ON-resistance

: R = 4.0 Ω (max) (@V

= 4 V)

: R = 7.0 Ω (max) (@V

= 2.5 V)

Maximum Ratings (Ta = 25°C)

Characteristic

Symbol

Rating

Unit

Drain-Source voltage

Gate-Source voltage

±20

GSS

Drain current

100

Pulse

200

Drain power dissipation (Ta = 25°C)

Channel temperature

100

°C

stg

150

Storage temperature range

-55~150

°C

JEDEC

JEITA

―

TOSHIBA

2-2H1B

Marking

Equivalent Circuit

Weight: 2.4 mg (typ.)

D P

Handling Precaution

When handling individual devices (which are not yet mounted on a circuit board), be sure that the

environment is protected against electrostatic electricity. Operators should wear anti-static clothing, and

containers and other objects that come into direct contact with devices should be made of anti-static materials.

2001-12-04

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