SSM3K15F

更新时间： 2024-11-11 04:02:43

品牌	Logo	应用领域
东芝 - TOSHIBA		开关
页数	文件大小	规格书
5页	152K
描述
High Speed Switching Applications

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

SSM3K15F 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SOT-23	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.95
风险等级：	5.57	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小漏源击穿电压：	30 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	0.1 A
最大漏极电流 (ID)：	0.1 A	最大漏源导通电阻：	7 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	0.2 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

SSM3K15F 数据手册

SSM3K15F

TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type

SSM3K15F

High Speed Switching Applications

Unit: mm

Analog Switch Applications

+0.5

2.5-0.3

+0.25

1.5-0.15

•

Small package

Low on resistance

: R = 4.0 Ω (max) (@V

= 4 V)

: R = 7.0 Ω (max) (@V

= 2.5 V)

Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)

Characteristics

Drain-source voltage

Symbol

Rating

Unit

±20

Gate-source voltage

GSS

1.Gate

2.Source

3.Drain

100

Drain current

Pulse

200

S-MINI

Drain power dissipation (Ta = 25°C)

Channel temperature

200

°C

stg

JEDEC

JEITA

TO-236MOD

SC-59

150

Storage temperature

−55~150

°C

TOSHIBA

2-3F1F

Note:

Using continuously under heavy loads (e.g. the application of

high temperature/current/voltage and the significant change in

temperature, etc.) may cause this product to decrease in the

Weight: 0.012 g (typ.)

reliability significantly even if the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are

within the absolute maximum ratings.

Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook

(“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test

report and estimated failure rate, etc).

Marking

Equivalent Circuit

D P

Handling Precaution

When handling individual devices (which are not yet mounting on a circuit board), be sure that the environment

is protected against electrostatic electricity. Operators should wear anti-static clothing, and containers and other

objects that come into direct contact with devices should be made of anti-static materials.

2007-11-01

12 3 4 5

中文翻译

下载PDF

与SSM3K15F相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SSM3K15F(TE85L,F)	TOSHIBA	获取价格	Trans MOSFET N-CH 30V 0.1A 3-Pin S-Mini T/R
SSM3K15F,LF(T	TOSHIBA	获取价格	暂无描述
SSM3K15F_07	TOSHIBA	获取价格	High Speed Switching Applications
SSM3K15FS	TOSHIBA	获取价格	High Speed Switching Applications Analog Switching Applications
SSM3K15FS(T5L,F,T)	TOSHIBA	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor
SSM3K15FS(T5LIMASF	TOSHIBA	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.1A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
SSM3K15FS(T5LPEW,F	TOSHIBA	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.1A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
SSM3K15FS(T5LPSE,F	TOSHIBA	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.1A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
SSM3K15FS(TE85L)	TOSHIBA	获取价格	TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,30V V(BR)DSS,100MA I(D),SOT-416
SSM3K15FS(TE85L,F)	TOSHIBA	获取价格	Trans MOSFET N-CH 30V 0.1A 3-Pin SSM T/R

与SSM3K15F相关文章

国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

9
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

1
AMD宣布全球裁员约1000人，调整战略聚焦增长
2024-11-14

1
英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
2024-11-05

27

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

SSM3K15F

SSM3K15F 技术参数

SSM3K15F 数据手册

与SSM3K15F相关器件

与SSM3K15F相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

SSM3K15F

SSM3K15F 技术参数

SSM3K15F 数据手册

与SSM3K15F相关器件

与SSM3K15F相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？