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SSM3K09FU

更新时间： 2024-09-28 22:42:43
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东芝 - TOSHIBA 开关
页数 文件大小 规格书
5页 249K
描述
High Speed Switching Applications

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SSM3K09FU 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SC-70包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.79
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：0.4 A最大漏极电流 (ID)：0.4 A
最大漏源导通电阻：1.7 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：0.15 W认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON

SSM3K09FU 数据手册

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Figure 1: 25.4 mm ´ 25.4 mm ´ 1.6 t,  
Cu Pad: 0.6 mm2 ´ 3  
                                                                                                                            
                                                                                                                            
                                                                                                                                             
                                                                                                                                             
                                                                                                                                         
                                                                                                                                         
SSM3K09FU  
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type  
SSM3K09FU  
High Speed Switching Applications  
Unit: mm  
·
·
Small package  
Low on resistance  
: R = 0.7 Ω (max) (@V  
on  
: R = 1.2 Ω (max) (@V  
on  
= 10 V)  
= 4 V)  
GS  
GS  
Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Characteristics  
Symbol  
Rating  
Unit  
Drain-Source voltage  
Gate-Source voltage  
V
30  
±20  
V
V
DS  
V
GSS  
DC  
I
400  
D
Drain current  
Pulse  
mA  
I
800  
DP  
Drain power dissipation (Ta = 25°C)  
Channel temperature  
P
(Note1)  
150  
mW  
°C  
D
T
T
150  
ch  
Storage temperature  
-55~150  
°C  
JEDEC  
JEITA  
―
stg  
SC-70  
2-2E1E  
Note1: Mounted on FR4 board  
2
(25.4 mm ´ 25.4 mm ´ 1.6 t, Cu Pad: 0.6 mm ´ 3) Figure 1.  
TOSHIBA  
Weight: 0.006 g (typ.)  
Marking  
Equivalent Circuit  
(top view)  
3
3
0.6 mm  
1.0 mm  
D J  
1
2
1
2
Handling Precaution  
When handling individual devices (which are not yet mounting on a circuit board), be sure that the environment is  
protected against electrostatic electricity. Operators should wear anti-static clothing, and containers and other  
objects that come into direct contact with devices should be made of anti-static materials.  
1
2002-01-24  
12345

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SSM3K09FU(TE85L) TOSHIBA

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 		TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,30V V(BR)DSS,400MA I(D),SC-70
SSM3K09FU(TE85L,F) TOSHIBA

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SSM3K09FU_07 TOSHIBA

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SSM3K104TU,LSOYF(T TOSHIBA

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 		暂无描述

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