SSM3K03FE

更新时间： 2024-09-28 22:14:19

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东芝 - TOSHIBA		晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
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描述
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type

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SSM3K03FE 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	ESM, 2-2HA1A, 3 PIN
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.64	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小漏源击穿电压：	20 V	最大漏极电流 (ID)：	0.1 A
最大漏源导通电阻：	12 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-F3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

SSM3K03FE 数据手册

SSM3K03FE

TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type

SSM3K03FE

High Speed Switching Applications

Analog Switch Applications

Unit: mm

2.5 V gate drive

High input impedance

Low gate threshold voltage: V = 0.7~1.3 V

Small package

Maximum Ratings (Ta = 25°C)

Characteristics

Symbol

Rating

Unit

Drain-source voltage

Gate-source voltage

DC drain current

GSS

100

°C

Drain power dissipation

Channel temperature

Storage temperature range

100

stg

150

JEDEC

JEITA

―

-55~150

TOSHIBA

2-2HA1B

Weight: 2.3 mg (typ.)

Marking

Equivalent Circuit

2003-03-27

12 3 4 5

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