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| 生命周期： | Not Recommended | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.21.00.95 |
| 风险等级： | 5.45 | 其他特性： | LOW THRESHOLD |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR | 最小漏源击穿电压： | 20 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 0.1 A | 最大漏极电流 (ID)： | 0.1 A |
| 最大漏源导通电阻： | 12 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 0.1 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SSM3K04FU | TOSHIBA |
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High Speed Switch Applications |
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| SSM3K04FV | TOSHIBA |
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High Speed Switching Applications |
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| SSM3K05FU | TOSHIBA |
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TOSHIBA FIELD EFFECT TRANSISTOR SILICON N CHALLEL MOS TYPE |
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| SSM3K05FU_07 | TOSHIBA |
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High Speed Switching Applications |
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| SSM3K09FU | TOSHIBA |
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High Speed Switching Applications |
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| SSM3K09FU(TE85L) | TOSHIBA |
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TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,30V V(BR)DSS,400MA I(D),SC-70 |
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| SSM3K09FU(TE85L,F) | TOSHIBA |
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TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,30V V(BR)DSS,400MA I(D),SC-70 |
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| SSM3K09FU_07 | TOSHIBA |
获取价格 |
High Speed Switching Applications |
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| SSM3K101TU | TOSHIBA |
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Silicon N Channel MOS Type High Speed Switching Applications |
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| SSM3K102TU | TOSHIBA |
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High Speed Switching Applications |
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