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SSD2003

更新时间: 2024-11-13 21:04:47
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三星 - SAMSUNG 光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
1页 26K
描述
Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 25V, 0.1ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SOIC-8

SSD2003 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:SOT
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8针数:8
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.84配置:SEPARATE, 2 ELEMENTS
最小漏源击穿电压:25 V最大漏极电流 (Abs) (ID):3.5 A
最大漏极电流 (ID):3.5 A最大漏源导通电阻:0.1 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码:R-PDSO-G8
元件数量:2端子数量:8
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):2 W认证状态:Not Qualified
子类别:FET General Purpose Power表面贴装:YES
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

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